今日三星宣布，高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已经验证了三星14纳米(nm)16Gb低功耗双倍数据速率5X(英文简称：LPDDR5X)DRAM，并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon®)移动平台。
自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以来，三星与高通技术公司密切合作，优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于骁龙移动平台。
LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5 (6.4Gbps)快约1.2倍，有望在下一代智能手机上提升超高分辨率视频录制性能和语音识别、图像识别、自然语言处理等人工智能功能。
此外，通过采用先进的电路设计和动态电压频率缩放(Dynamic voltage and frequency scaling，DVFS)，LPDDR5X的功耗可降低约20%。
高通技术(Qualcomm Technologies)在启用和采用最新的LPDDR DRAM规格方面是行业专家。
本月初，由于西部数据和铠侠（Kioxia）双双对外公告称，部分NAND生产线遭到污染，导致今年一季度产能受损。不久后，西部数据便宣布全部产品涨价，尔后，美光也进一步跟进，宣布NAND芯片合约、现货全部涨价。
据了解，在本轮涨价中，NAND 各型号价格均有所上涨，其中，64Gb 8Gx8 MLC 闪存合约涨幅最大，远高于32Gb 4Gx8 MLC 闪存合约涨幅，而且价格已经创下三年来新高。
2月10日，铠侠与西部数据发布公告称，自1月下旬以来，日本四日市工厂和北上工厂的部分业务受到产线污染影响，受污染的产品集中为3D NAND（BICS），预计有6.5exabyte（约当为6500M GB）受影响，其中受损部分占集团今年第一季度产能的13%、占全年总产能的3%。
根据wind统计数据显示，NAND Flash市场价格在去年上半年维持上涨的趋势，不过，由于市场呈现小幅供过于求的态势，导致在2021年下半年处于跌价区间，但在年底止跌后小幅反弹。
而此次的污染事件，成为NAND Flash价格的转折点。先是西部数据向消费类市场客户发邮件称，为应对成本在短期内的大幅上涨，将全面提高所有Flash产品的价格。
随后，美光也跟进提涨NAND芯片合约和现货价格，其中，合约价涨17%至18%，现货价25%以上，是目前已知涨价幅度最高的厂商。
值得注意的是，美光的产品线并没有受到任何影响，而且美光也强调，公司运营未受到同业工厂污染事件的波及，与客户签订长期协议的策略有助于在产业不确定时期，使客户对供应保有信心。
业界人士称，由于合约价是每月商议，美光此次涨价几乎是实时生效，预计3月初可全面反映。
“由于存储市场是寡头垄断的格局，西部数据提价后美光立刻跟涨，虽然三星、SK海力士几家还没宣布（涨价），但是剩下的几家大概率会跟涨的，NAND Flash完全是市场化定价的，现在货少了，那么大家就一起涨价。”有私募研究员对笔者表示。
Wind数据显示，截至2月24日，32Gb 4Gx8 MLC报价2.10美元，64Gb 8Gx8 MLC则报价3.36美元。
此外，根据笔者了解，固态硬盘的价格也在上涨，最近120GB和240GB SATA固态硬盘的价格上升了3%以上。
从京东平台来看，以金士顿240GB SSD固态硬盘和金士顿480GB SSD固态硬盘为例，两款硬盘的报价分别为239元、369元。有相关用户对笔者表示，这一价格有所上涨，比春节前后贵一些。
至于涨价的持续时间，该研究员补充道，最终决定价格周期的还是供需，龙头厂商短期肯定是不扩产了，等下游需求真正释放的时候，价格就会走上行周期。
“从我们测算的结果来看，总的需求较去年还是有所上涨的。不过，今年不可控的因素比较多，所以实际需求可能会和我们预测的有差距，差距还可能非常大；而且，按照市场规律来说，通常需求减少的时候，价格是下降的，但是目前只有少量需求，而（NAND芯片）价格是涨的，所以它不是一个完全靠需求来支撑价格的体系。”有硬盘厂商负责人告诉笔者，部分产品的需求慢慢可能会发生变化，有可能会缩，但是价格却不一定会降。
资料显示，NAND Flash是存储器第二大细分市场，行业市场格局高度集中，份额被三星、铠侠、西部数据、SK海力士、英特尔、美光 6 家厂商瓜分，市占率合计超过 95%。
据悉，西部数据和铠侠是世界领先的固态硬盘供应商，它们的联合生产占整个NAND闪存市场的30%左右。此次污染事件将会影响铠侠最高达16 EB的NAN闪存总出货，或一个季度内消耗的NAND闪存总量的10%左右。
由于NAND Flash在存储芯片中的地位举足轻重，一旦在半导体产业占据着重要地位的日企减产，势必会有缺货的风险，垄断市场之下，除了产品涨价也别无他法。
而国内市场NAND Flash需求虽然是全球第二，占比超过31%，但是截至目前，国产化率仍不足1%，虽然自2019后长江存储等其他厂商慢慢进入全球视线，但市场份额仍然较低。
从当前的情况来看，国内存储芯片厂商与国际巨头的差距还很明显，自主供应能力尚处于成长初期，而且国内绝大多数市场份额仍由上述巨头把持。虽然以长江存储为首的厂商得到政策以及大基金等的扶持，近年来也发展迅速，但是大部分产品尚未形成替代，国内市场对国际巨头的依赖仍然严重。
面对寡头垄断格局之下的产品涨价，国内市场的下游客户毫无议价能力，除了被动接受之外，别无法他法。
不过，据笔者了解，长江存储128层3D NAND闪存产品已经成功量产，目前，长江存储64层3D NAND闪存制造的收益率也已经提高到成熟水平。
据集微网此前报道，长江存储有望在2022年上半年实现月产量增至10万片的目标，目前正努力进入中国一线品牌供应链，并将其目标市场扩大到包括手机和个人电脑应用。
此外，东芯半导体聚焦于中小容量存储芯片，可以同时提供Nand、Nor、Dram等产品，据悉，该公司设计并量产的24nm Nand、48nm Nor均为大陆目前已量产的最先进的Nand、Nor工艺制程。
在近两年国产替代的趋势下，越来越多的硬盘厂商开始采购国内存储芯片。据笔者获悉，国内内存模块供应商嘉合劲威AN4 PCle4.0 SSD产品使用的闪存颗粒就是长江存储128层3D TLC NAND。
这也标志着，中国半导体企业和韩国的技术差距从3、4年缩短为2年，虽然距国际巨头仍有难以逾越的鸿沟，但是随着西部数据和美光的提价，长江存储等企业在今年开始逐步放量，国产存储芯片企业有望凭借高性价比趁机提高市占率。
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