2020年1月10日，2019年度国家科学技术奖在京揭晓，共评选出296个项目和12名科技专家；包括国家自然科学奖授奖项目46项，国家技术发明奖授奖项目65项，国家科学技术进步奖授奖项目185项。
国家科学技术奖励工作办公室2019年7月发布《国家科学技术奖励工作办公室公告第92号》，公告称2019年度国家科学技术奖提名工作已结束，我办共收到有关单位和专家提名的国家自然科学奖项目295项，国家技术发明奖项目298项(通用项目239项，专用项目59项)，国家科学技术进步奖项目956项（通用项目784项，专用项目172项）。
士兰微、华润上华、金瑞泓、有研半导体、株洲中车、兴福电子等公司参与的项目获得国家技术发明奖二等奖4项、国家科学技术进步奖一等奖2项和国家科学技术进步奖二等奖2项。
一、国家技术发明奖二等奖
1、“微量掺锗直拉硅单晶技术及其应用”项目
该项目主要完成人为杨德仁（浙江大学）、田达晰（浙江金瑞泓科技股份有限公司）、余学功（浙江大学）、马向阳（浙江大学）。
2、“大尺寸硅片超精密磨削技术与装备”项目
该项目主要完成人为大连理工大学的康仁科、董志刚、朱祥龙和有研半导体材料有限公司的闫志瑞、郑州磨料磨具磨削研究所有限公司的古玉龙、无锡机床股份有限公司的吕洪明。
项目主要研究内容为磨床结构设计与分析、金刚石砂轮研制、硅片面型控制系统、硅片高效低损伤超精密磨削工艺等，并研制出国内首台大尺寸硅片双主轴三工位全自动磨床和大尺寸硅片磨抛一体化机床等设备。
3、“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用“项目
该项目主要完成人为刘国友（株洲中车时代电气股份有限公司）、盛 况（浙江大学）、罗海辉（株洲中车时代电气股份有限公司）、覃荣震（株洲中车时代电气股份有限公司）、黄建伟（株洲中车时代电气股份有限公司）、肖海波（株洲中车时代电气股份有限公司）。
该项目全面攻克高压IGBT芯片设计与制造关键技术，研制完成1700V-6500V高压IGBT系列产品，成功应用于轨道交通、智能电网等高端装备领域，典型应用包括“高速动车组”、“大功率机车” 、“地铁车辆”、“电力系统工程”等，并远销印度、俄罗斯和欧洲市场，销售IGBT超20万套，实现销售收入40.4亿元。获授权发明专利57项，发表论文60篇。
4、“高效模数转换器和模拟前端芯片关键技术及应用”项目
该项目主要完成人为杨银堂（西电）、朱樟明（西电）、丁瑞雪（西电）、方伟（大华）、胡铁刚（杭州士兰微电子股份有限公司）、朱海刚（大华）。
该项目发明了高效可配置模数转换及模拟前端芯片架构、高效误差数字校准及高精度时钟、高效模拟前端采样等技术，可应用于多维传感器、锂电管理系统等系列产品，解决了高效模数转换器及模拟前端芯片的自主可控发展难题。
二、国家科学技术进步奖一等奖
1、“FT-1500A高性能通用64位微处理器及应用”项目
该项目由中国人民解放军国防科技大学、中国电子信息产业集团有限公司、天津飞腾信息技术有限公司三家单位合作完成；获奖人员包括窦强、赵振宇、王永文、邓让钰、高军、周宏伟、邓宇、潘国腾、张承义、龚锐、邓林、欧国东、郭御风、马卓，隋兵才。
2014年10月，FT-1500A高性能16核通用64位CPU惊艳亮相。该芯片兼容生态完善的ARM指令集，通过自主设计实现芯片安全可控，性能和效能领先于同期国际同类产品。其研发和面世，标志着我国CPU设计技术取得重大突破，打破了国外在高性能CPU领域的垄断，为我国自主可控信息系统建设提供了技术保障。
随着国产化应用的逐渐深入，FT-1500A销量逐年递增，仅2018年四季度就销售近3万片。而随着FT-1500A、FT-2000、FT-2000+等一系列高性能CPU产品的推出，已有400多家企业构建了以飞腾CPU为核心的全自主生态系统，覆盖了从高性能计算、服务器、桌面、嵌入式等多个应用领域。
2、“新一代射频芯片”项目
中国电科55所和13所牵头的新一代射频芯片项目获“国家科技进步一等奖”，这是中国电科成立以来，在基础元器件领域获得的首个国家科学技术进步一等奖.
中国电科新一代射频芯片项目研制团队，始终坚持自力更生、协同作战、顽强拼搏、创新图强，历经近20年的不懈努力，掌握了核心技术，形成了从设计、工艺到封装、测试的完整技术体系，开发出射频芯片系列产品千余款，实现了第三代半导体从无到有的跨越，为确保核心芯片和关键元器件自主创新做出了重要贡献。
三、国家科学技术进步奖二等奖
1、“芯片用超高纯电子级磷酸及高选择性蚀刻液生产关键技术”项目
兴发集团围绕国家电子化学工业重大战略需求，携兴福电子与中国科学院过程工程研究所、武汉工程大学等单位，经过近10年持续研究攻关，自主开发掌握了芯片用超高纯电子级磷酸和高选择性蚀刻液生产关键技术，突破了发达国家在该领域的技术封锁，其中超高纯电子级磷酸中砷、锑等杂质的控制技术居国际领先水平，有效提升了我国电子化学品产业的国际竞争力，为我国芯片制造产业高质量发展创造了良好条件。
2、“高性能MEMS器件设计与制造关键技术及应用”项目
该项目由东南大学、江苏英特神斯科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司三家单位合作完成。项目成果针对中国微机电系统（MEMS）产业链关键技术问题，系统研究开发了MEMS设计技术与设计工具、制造工艺和在线检测以及高性能压力传感器技术，推动了中国MEMS技术的产业化发展。
该成果形成了高精度硅各向异性腐蚀模拟、厚胶光刻工艺模拟、工艺流程模拟等11个软件模块，实现了商业化，国内用户40余个，远销美国、日本等。关键技术已应用于华润上华规模化生产线，形成批量生产能力并为国内外用户代工超过10万片，支撑了压力传感器系列、麦克风系列等MEMS器件生产，产品已在智能电子、工业控制、环境监测等领域广泛应用。
在该项目中，华润上华具体开发了MEMS表面加工、体加工、键合加工等成套制造工艺技术及检测技术，优化了制造工艺及流程，实施了MEMS生产制造工艺、在线检测技术以及代工服务。硅基MEMS制造工艺模拟及工艺优化技术大大减少了工艺条件和参数的反复试验，降低了工艺开发成本并优化了工艺条件及其流程，缩短了制造工艺开发周期。
