最近，日本投资43亿研发8吋碳化硅衬底和mosfet（.点这里.），而这两天，中国也有新突破——山西烁科成功研制了8吋碳化硅晶体。目前，Wolfspeed、罗姆、意法半导体、II-VI等企业，在8英寸SiC衬底有哪些最新进展？今天我们就来聊聊这个。3月1日晚，“中电材料”官微宣布，其下属山西烁科晶体已成功研制出8英寸碳化硅晶体，成功解决了大尺寸单晶制备的重要难题。
同时，烁科晶体还实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，进一步缩小了国内外技术差距。
此前，烁科总经理李斌在接受“三代半”采访时提到，烁科已实现了8寸导电衬底的“0”到“1”，接下来将继续加大8寸导电衬底的研发力度，向着“1”到“100”持续不懈的努力。
据了解，烁科成立于2018年，专业深耕碳化硅材料领域。
2021年，烁科6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底开始流片，进行器件验证；6英寸导电型碳化硅单晶衬底处于小批量验证阶段，外延端验证良率可达99.9%以上。“我们的6寸导电型衬底也计划在MOS线上流片验证，后续将进一步扩大产能，提升品质及市场占有率”，李斌补充道。
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根据《2021第三代半导体调研白皮书》，2015年，Wolfspeed展示了8英寸SiC衬底，将在2022年初正式量产8英寸SiC晶圆。
那么，他们何时会量产8吋碳化硅衬底？目前各项性能如何？2021年10月，在欧洲ECSCRM会议上，Wolfspeed首席技术官John Palmour介绍了他们新工厂的最新建设情况，与2017年相比，该工厂的产能将扩大30倍，计划于2022年投入使用。Palmour还重点介绍了8吋产品的情况，"2022年新厂会开始在6英寸衬底上生产设备，2024年将转向生产8英寸器件。"会上，Palmour还分享了8英寸SiC 衬底的交叉极化图像，其位错图显示基面和螺纹螺钉密度分别为 684 cm-2和 289 cm-2。化学机械抛光后，表面质量得到改善，Lasertech 表面扫描显示没有划痕，只有 66 个缺陷。此外，在三个反应器中进行的外延层生长试验表明，可以实现略高于1%的厚度和掺杂均匀性。价格方面，Palmour表示，目前，他们8英寸SiC 的单位面积成本更高，部分原因是衬底厚度从350毫米增加到500毫米。● 2015年，罗姆展示了8英寸SiC衬底，据了解，罗姆将在2025年正式批量生产8英寸SiC产品。● 2021年6月，ST瑞典北雪平工厂成功制造出首批8英寸碳化硅晶圆片，影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少。8寸晶圆的产量是6寸碳化硅晶圆的1.8 - 1.9 倍，生产能力也提高了近1倍。为了扩大产能供应，ST首席执行官Jean-Marc Chéry决定，投资数亿欧元，在意大利的卡塔尼亚建立新基地，生产Norstel研发的8英寸SiC衬底，目标是到2024年实现40%碳化硅衬底的自主供应。● 据悉，2015年7月，II-VI展示了8英寸导电型SiC衬底，2019年展示了半绝缘8英寸SiC衬底。2021年4月，II-VI表示，未来5年内，将SiC衬底的生产能力提高5至10倍，其中包括量产8英寸衬底，量产时间预计为2024年。插播：更多全球SiC产业布局，尽在《2021第三代半导体调研白皮书》，扫码可抢先阅读！8吋SiC MOS和衬底要来了？日本再砸43亿
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