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2月25日，山东天岳发布2021 年度业绩快报公告。2021年，公司实现营业总收入 49,385.68 万元，较上年同期增长 16.25%；实现归属于母公司所有者的净利润 8,995.15 万元，较上年同期增加 73,156.47 万元，实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润1,297.39 万元，较上年同期减少 42.82%。
据泰科天润相关负责人陈芝介绍，公司2022年计划生产制造超过10000片6英寸碳化硅晶圆，当前已接受订单总额数千万元。据悉，泰科天润于2019年选址浏阳经开区成立浏阳泰科公司，2021年1月正式投产。“去年是投产第一年，生产规模还有限，但市场前景很好，今年将扩大生产。”陈芝介绍说，今年春节刚过，公司就全面复工复产，目前生产经营已进入良性循环。2月22日，江苏常州532”发展战略重点产业项目集中签约，在12个重点产业项目中，既有新材料项目、高端装备制造项目，也有围绕产业链引入的研发检测等生产性服务业项目，涉及新能源汽车、新材料、新智能等相关领域。
其中新能源测控装备项目获投资3亿元用于租用园区标准厂房；主要从事电芯、碳化硅系列模组等多种测试所需装备的研发、生产和销售。最近，华大半导体官网发布消息称，1月，华大半导体公司营收较去年同期大幅增长，为完成全年经营工作目标打下坚实基础。其中提到，积塔半导体拥有国内领先的碳化硅6吋代工生产线，直至2月21日，各项目已顺利开展，稳步按计划推进碳化硅MOSFET的投片、生产及产出。
2月21日，台湾LITE-ON Singapore（光宝）将与新加坡南洋理工大学（NTU）合作开发更节能的智能电网和智能家居技术。合作的重点包括新的智能电源路由器、智能家居能源管理平台和大数据聚合平台。
其中，将开发的主要项目之一是利用碳化硅技术的智能电网高频双向逆变器和转换器，这将使这些设备能够承受更高的温度并提供更高的能源效率和功率密度。据悉，双方签订了一份为期四年的协议，该协议是光宝投资新兴技术战略的一部分，并将和南大一起解决在数字和城市方案方面的专业难题。
NTU Singapore 和 LITEON 合作开发用于家庭和电网的创新技术据河南省洛阳市当地媒体2月24日报道，市长徐衣显带队考察从事碳化硅产业的国宏中宇科技发展有限公司，并举行会谈。
会谈中，双方就公司总部实质性迁洛、新建第三代半导体碳化硅产业研究院等事宜深入交流。双方表示，要深化务实合作，促进国宏中宇洛阳项目尽快落地，推动以碳化硅为代表的第三代半导体上下游相关产业在洛阳集聚与发展，助力洛阳产业发展站上新风口、抢抓新机遇。2月21日上午，天心区委副书记、区长周志军带队走访辖区重点企业中国电子科技集团公司第四十八研究所（简称“中电48所”），深入了解企业发展情况，并就企业反映的相关事项现场办公。
座谈中，中电48所所长、党委副书记王平对天心区委、区政府历年来对企业的关心表示感谢，并详细介绍了中电48所全力打造“国家第三代半导体成套装备国产化解决方案首选供应商、我军传感器及系统解决方案重要供应商”的“十四五”规划等情况。2月21日，美国Veeco公布了2021财年第四季度业绩，其中，化合物半导体业务贡献了3470 万美元（占总收入的 23%），比上季度的2330 万美元（占总收入的 15%）增长了48.9%，这得益于向光电以及5G RF业务。“我们预计 2022 年化合物半导体市场将出现显著增长，这是基于我们对 MOCVD 和其他系统的积压和可见性，这些系统主要面向光电应用，其次是 GaN 功率，”Veeco首席财务官约翰·基尔南指出。“从长远来看，我们相信我们的 Lumina 和 Propel 平台已经为 micro-LED 和 8 英寸 GaN 功率机会做好了准备。”2月25日，据光明日报报道，在浙江宁波大力培养“专精特新”企业的背景下，宁波铼微半导体有限公司取得了可观的“成绩”。
该公司行政总监赵锐表示，正是落地宁波享受到了很多政策红利，才实现了企业快速成长。如今公司的氮化镓器件已开始批量生产，待产能布局完成后，预计将在全球占据可观市场份额。2月24日，Transphorm 宣布它将在ISPSD研讨会上展示1200 V GaN 器件的领先研发成果，预计将于 2023 年提供样品。
迄今为止，市售的高功率 GaN 晶体管的电压范围通常为 600 至 650 伏，此前Transphorm 也仅提供 900V 的 GaN 器件。如今即将展示的1200V FET 的性能有望通过支持苛刻的要求来扩展 Transphorm 的产品组合和最终的市场机会。发布第三代 GaN-on-SiC HEMT 晶体管2月22日，Ampleon宣布推出两款新的GaN-on-SiC HEMT 晶体管，功率等级分别为 30 W CLF3H0060(S)-30、100 W CLF3H0035(S)-100。这些高线性度器件是其第 3 代 GaN-SiC HEMT 工艺的初始产品，最近通过认证并投入生产。
这些器件在低偏置设置下提供宽带高线性度特性，以提高宽带线性度的性能水平。宽带线性对于当今国防电子设备中部署的频率捷变无线电至关重要，用于处理多模通信波形（从 FM 到高阶 QAM 信号）并同时应用对抗信道。这些要求苛刻的应用需要晶体管本身具有更好的宽带线性度。阅读更多碳化硅、氮化镓产业资讯，请扫描下方二维码，登陆行家说第三代半导体网：
又一批汽车OBC采用碳化硅；国产装车量30万只/月？
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