我们不得不面对一个现实——我们对SRAM上瘾了。SRAM面积大，很耗电，但是速度快。不管我们怎么抱怨，我们仍然在使用它，因为目前为止还没有更好的主流方案来替代SRAM。
我们已经尝试改进传统的SRAM，看到了可能会取代SRAM的完全不同的内存技术，比如RRAM和MRAM。几年前，我们尝试用传统的晶体管来创造一种新的SRAM技术——清楚来讲，传统SRAM使用六个晶体管结构(6T-SRAM)，而新SRAM只用单个晶体管结构(1T-SRAM)，外加可能需要的一个选择晶体管。
这家公司就是Zeno，他们甚至利用这个想法来为晶体管提供更大的驱动——这可能意味着人们可以更长久地坚持使用已有的老技术。但是，在这里至少有一个没有被证实的问题。
事情是这样的：原来的技术被证明是28纳米节点技术。它能被用于更小的节点吗？虽然Zeno认为这是可行的，但他们还没有进行实验来证明这一点。
事实证明，还有另一个恼人的问题（一个小细节有时候可以破坏一个伟大的新想法）。这项技术最初是用晶体管下的深埋型N阱（Buried N-Well）实现的，到目前为止这都不是一种标准CMOS制造工艺。虽然随着时间的推移工艺是有可能改变的，但这非常困难，最好这种改变能带来很好的回报。1T-SRAM就足以推动工艺的变化吗？也许吧，但我们要问的是另一个问题（也是Zeno问的那个问题）：“真的有必要修改工艺吗？如果我们忽略深埋型N阱会发生什么？1T-SRAM还能工作吗？”
在今年的IEDM上，Zeno在讨论及提交的论文中就上述两个问题做出了回应。上述两个问题的答案都是肯定的。
下图显示了14nm工艺下的布局图，左边是一个6T的传统SRAM，右边是他们的1T版本。
他们还展示了在14纳米与原来的28纳米版本下的轮廓对比图。注意FinFET的使用和右侧的深埋型N阱的缺失，此最新版本采用标准CMOS制造工艺。
他们展示的数据显示了数据被反复读取下的双稳态元素的稳定性，可以看到数据仍然存在，读取操作对数据没有破坏性。
在论文中他们给出了更多关于读写操作的细节。如果你有机会参加IEDM会议，寻找“A Bi-stable 1- /2-Transistor SRAM in 14 nm FinFET Technology for High Density / High Performance Embedded Applications”以获取更多细节。
原文链接：https://www.eejournal.com/2019/01/24/sticking-with-their-story-zeno-demonstrates-1t-sram-at-leading-nodes/
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