本文由半导体产业纵横编译综合
美国半导体设备公司泛林集团(Lam Research)将在韩国生产用于半导体生产的下一代核心设备,支持栅极全方位(GAA)技术和3D堆叠技术的高选择性蚀刻。
Lam Research于当地时间2月10日公布了新的设备阵容。预计新设备将在三星电子开发下一代存储器半导体和系统半导体方面发挥关键作用。
Lam Research在推出新产品时直接提及其客户是不寻常的。"当半导体公司开发一项新技术时,它通常会同时开发生产设备,"一位业内人士表示。"由于三星电子将GAA视为追赶台积电的手段,它一直在与Lam Research从设备开发和测试阶段合作。
Lam Research宣布的另一个值得注意的一点是,它将在韩国生产半导体设备。Lam Research的新蚀刻设备生产线由韩国的全球生产基地泛林集团韩国分公司生产。Lam Research韩国制造有限公司在韩国龙仁、乌山和华城设有三家工厂。
Lam Research当地时间2月9日宣布推出一套新的选择性蚀刻产品,这些产品应用突破性的晶圆制造技术和新型化学物质,支持芯片制造商开发环栅 (GAA) 晶体管结构。Lam 的选择性蚀刻产品组合由Argos、Prevos 和 Selis 三种新产品组成,在先进逻辑和存储半导体解决方案的设计和制造方面提供了强大的优势。
随着现代技术和设备的不断发展,对更高设备密度以提高性能和效率的需求也在增加。为了跟上摩尔定律的步伐,芯片制造商现在正在垂直开发晶体管结构——这是一个异常复杂的工艺,需要超高选择性、精密蚀刻和均匀的各向同性材料去除,而不会修改或损坏其他关键材料层。
Lam Research 的选择性蚀刻解决方案提供支持先进逻辑纳米片或纳米线形成所需的超高、可调选择性和无损伤材料去除,使芯片制造商能够在 DRAM 达到其平面结构时实现从平面结构到三维结构的下一次进化飞跃缩放限制。“半导体行业不断向更强大和更快的设备能力发展。随着器件的密度和复杂性显着增加,选择性蚀刻技术对于制造最先进的逻辑器件至关重要,”三星半导体研发中心Keun Hee Bai博士说。“随着全球对三星技术的需求持续飙升,我们依靠选择性蚀刻的广泛创新和能力来支持生产并加快我们的逻辑器件路线图,向高级逻辑 GAA 及更高版本迈进。”
Lam Research选择性蚀刻产品组合三个新工具分别是:
Argos采用革命性的 MARS™(亚稳态活化自由基源)技术,选择性地修饰和净化晶圆表面。其突破性的处理和调节能力使芯片制造商能够精确地处理晶圆表面,优化它们以获得最佳性能。
Prevos通过将新颖的化学物质和创新的蒸汽技术与灵活的温度控制相结合,实现原子层精度、对氧化物、硅和金属的超高选择性蚀刻。Prevos 利用了 Lam 开发的一种新的专有化学技术解决方案;可以添加额外的化学物质来支持芯片制造商的生产需求。
Selis独特地采用了自由基蚀刻和热蚀刻能力,以实现超高选择性蚀刻和统一的从上到下的工艺控制,而不会损坏晶圆结构。
Prevos 和 Selis也可以作为单一的集成工具交付,以提供独特的多层选择性蚀刻、改进的排队时间控制和最大的生产灵活性。
“Lam Research 正在推动晶圆制造的进步,以支持芯片行业向 3D 架构的转变,并使下一代数字技术成为现实,”Lam Research 总裁兼首席执行官 Tim Archer 说。
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