铁氧体磁珠揭秘

韬略科技EMC 2021-03-26 17:45

【应用手册】TI 全新MCU及C29内核的电动汽车应用方案 如何提升高压系统的实时性能?

一简介

铁氧体磁珠是无源器件，可在宽频率范围内过滤高频噪声。它在目标频率范围内具有电阻特性，并以热量的形式耗散噪声能量。铁氧体磁珠与电源网络串联，而磁珠的两端通常接对地电容，形成一个低通滤波器网络，进一步降低高频电源噪声。

但是，若系统设计中对铁氧体磁珠使用不当，则会产生不利影响。正确理解并充分考虑铁氧体磁珠的特性后，这些问题是可以避免的。

本文讨论系统设计人员在电源系统中使用铁氧体磁珠时的注意事项，比如直流偏置电流变化时的阻抗与频率特性，以及干扰LC谐振效应。最后，为了解决干扰谐振问题，介绍了阻尼技术，并比较了各项阻尼方法的有效性。

为演示铁氧体磁珠作为输出滤波器影响而采用的器件是一款 2 A/1.2 A DC-DC 开关调节器，具有独立的正输出和负输出 (ADP5071)。文中所用的铁氧体磁珠主要采用芯片类型表贴封装。

二铁氧体磁珠简化模型与仿真

铁氧体磁珠能够等效为一个由电阻、电感和电容组成的简化电路，如图1a 所示。RDC对应磁珠的直流电阻。CPAR、LBEAD和RAC分别表示寄生电容、磁珠电感和与磁珠有关的交流电阻（交流磁芯损耗）。

图1. (a) 简化电路模型

(b) 采用韬略磁珠TLED2012E102-1R5TF 测量的ZRX曲线。

铁氧体磁珠可依据三个响应区域分类：感性、阻性和容性。查看ZRX曲线便可确定这些区域（如图1b 所示），其中Z表示阻抗、R表示电阻、X表示磁珠的电抗。为了降低高频噪声，磁珠必须处于阻性区域内；电磁干扰 (EMI) 滤波应用尤其需注意这一点。该元件用作电阻，可阻止高频噪声并以热量的形式耗散。阻性区域出现在磁珠交越频率(X = R) 之后，直至磁珠变为容性的那一点为止。此容性点位置为容性电抗 (–X) 绝对值等于R的频率处。

某些情况下，简化电路模型可用来近似计算铁氧体磁珠高达 sub-GHz范围的阻抗特性。

本文以磁珠TLED2012E102-1R5TF多层铁氧体磁珠为例。图1b显示了在零直流偏置电流条件下使用阻抗分析仪测得的磁珠TLED2012E102-1R5TF ZRX响应。在测得的ZRX曲线上，磁珠表现出最大感性特性（Z ≈ XL；LBEAD）的区域中，该磁珠的电感可根据下列公式计算：

其中:

f 是区域内磁珠表现为感性的任意频率点。本例中，f = 30.7 MHz。XL是30.7 MHz时的电抗，数值为233 Ω。

由公式1 得出的电感值 (LBEAD) 等于1.208 μH。

在磁珠表现出最大容性特性（Z ≈ | XC|；CPAR）的区域中，寄生电容可根据下列公式计算：

其中:

f 是区域内磁珠表现为容性的任意频率点。本例中，f = 803 MHz |XC|是803 MHz 时的电抗，数值为118.1 Ω。由公式2得出的寄生电容值(CPAR) 等于1.678 pF。

根据制造商的数据手册，直流电阻(RDC) 等于300 mΩ。交流电阻(RAC)是磁珠表现为纯阻性时的峰值阻抗。从Z中减去RDC即可得出RAC。由于相比峰值阻抗，RDC极小，因而可以忽略。因此，本例中RAC等于1.082 kΩ。使用ADIsimPE电路仿真工具生成阻抗与频率响应的关系。图2a显示了电路仿真模型，并提供计算值；图2b显示了实际测量结果以及仿真结果。本例中，从电路仿真模型得出的阻抗曲线与测量曲线严格匹配。

图2. (a) 电路仿真模型 (b) 实际测量结果与仿真测量结果。

在噪声滤波电路设计和分析中，采用铁氧体磁珠模型很有帮助。例如，当与去耦电容一同组成低通滤波器网络时，对电感进行近似计算对于决定谐振频率截止很有帮助。然而，本文中的电路模型是零直流偏置电流情况下的近似。此模型可能随直流偏置电流的变化而改变，而在其他情况下可能需要采用更复杂的模型。

三直流偏置电流考虑因素

为电源应用选择正确的铁氧体磁珠不仅需要考虑滤波器带宽，还需考虑磁珠相对于直流偏置电流的阻抗特性。大部分情况下，制造商仅指定磁珠在100 MHz的阻抗并公布零直流偏置电流时的频率响应曲线数据手册。然而，将铁氧体磁珠用作电源滤波时，通过磁珠的负载电流始终不为零，并且随着直流偏置电流从零开始增长，这些参数也会随之迅速改变。

随着直流偏置电流的增加，磁芯材料开始饱和，导致铁氧体磁珠电感大幅下降。电感饱和度根据组件磁芯所用的材料而有所不同。图3a显示了两个铁氧体磁珠的典型直流偏置依赖情况。额定电流为50%时，电感最多下降90%。

图3. (a) 直流偏置对磁珠电感的影响以及相对于直流偏置电流的曲线

(b) 采用TLED1608E101-1R5TF磁珠

如需高效过滤电源噪声，则就设计原则来说，应在额定直流电流约20%处使用铁氧体磁珠。如这两个示例所示，在额定电流20%处，电感下降至约30%（6 A磁珠）以及约15%（3 A磁珠）。铁氧体磁珠的电流额定值是器件在指定升温情况下可承受的最大电流值，并非供滤波使用的真实工作点。

此外，直流偏置电流的效果可通过频率范围内阻抗值的减少而观察到，进而降低铁氧体磁珠的有效性和消除EMI 的能力。图 3b和图3c显示了铁氧体磁珠阻抗如何随直流偏置电流的变化而改变。只需施加额定电流的50%，100 MHz时的有效阻抗就会从100Ω大幅下降至10Ω（ TLED1608E101-1R5TF，100 Ω，3 A， 0603），以及从70Ω下降至15Ω（TLED4516U700-6R0TF， 70 Ω，6 A，1812）。

系统设计人员必须完全了解直流偏置电流对磁珠电感和有效阻抗的影响，因为这对于要求高电源电流的应用可能十分重要。

四LC谐振效应

当铁氧体磁珠与去耦电容一同应用时，可能产生谐振尖峰。这个经常被忽视的效应可能会损害性能，因为它可能会放大系统的纹波和噪声，而非衰减它们。很多情况下，此尖峰发生在DC-DC 转换器的常用开关频率附近。

当低通滤波器网络（由铁氧体磁珠电感和高Q 去耦电容组成）的谐振频率低于磁珠的交越频率时，发生尖峰。滤波结果为欠阻尼。图4a显示的是TLED1608E102-1R5TF 测量阻抗与频率的关系曲线。阻性元件（与干扰能量的耗散有关）在达到大约20MHz到30MHz范围之前影响不大。低于此频率则铁氧体磁珠依然具有极高的Q值，且用作理想电感。典型铁氧体磁珠滤波器的LC谐振频率一般位于0.1 MHz到10 MHz范围内。对于300 kHz到5MHz范围内的典型开关频率，需要更多阻尼来降低滤波器Q值。

图4. (a) TLED1608E102-1R5TF ZRX曲线

(b) 铁氧体磁珠和电容低通滤波器的S21 响应

图4b 显示了此效应的一个示例；图中，磁珠的S21 频率响应和电容低通滤波器显示了峰值效应。此例中使用的铁氧体磁珠是 TLED1608E102-1R5TF（100 Ω，3 A，0603），使用的去耦电容是Murata GRM188R71H103KA01 低ESR 陶瓷电容（10 nF，X7R， 0603）。负载电流为微安级别。

无阻尼铁氧体磁珠滤波器可能表现出从约10dB到约15dB的尖峰，具体取决于滤波器电路Q值。图4b中，尖峰出现在2.5 MHz左右，增益高达10 dB。

此外，信号增益在1 MHz 到3.5 MHz 范围内可见。如果该尖峰出现在开关稳压器的工作频段内，那么可能会有问题。它会放大干扰开关伪像，严重影响敏感负载的性能，比如锁相环(PLL)、压控振荡器 (VCO) 和高分辨率模数转换器 (ADC)。图4b 中显示的结果为采用极轻负载（微安级别），但对于只需要数微安到1 mA 负载电流的电路部分或者在某些工作模式下关闭以节省功耗的部分而言，这是一个实用的应用。这个潜在的尖峰在系统中产生了额外的噪声，可能会导致不良串扰。

例如，图5显示了一个ADP5071 应用电路，该电路采用了磁珠滤波器；图6 显示了正输出端的频谱曲线。开关频率设为2.4 MHz，输入电压设为9 V，输出电压设为16 V，负载电流设为5 mA。

图5. ADP5071 应用电路（带磁珠和电容低通滤波器，部署在正输出端）

图6. ADP5071 频谱输出（5 mA 负载）

由于磁珠的电感和10 μF 陶瓷电容，谐振尖峰出现在约2.5 MHz 处。出现了10 dB增益，而非衰减2.4 MHz处的基频纹波频率。

影响谐振尖峰的其他因素是铁氧体磁珠滤波器的串联阻抗和负载阻抗。在较电源内阻下，尖峰大幅下降，并被阻尼所减弱。然而，采用这种方法会导致负载调节下降，从而失去实用性。由于串联电阻下降，输出电压随负载电流而下降。负载阻抗还会影响峰值响应。轻载条件下的尖峰更严重。

五阻尼方法

本节介绍三种阻尼方法，系统工程师可用来大幅降低谐振尖峰电平（见图7）。

图7. 不同阻尼方法的实际频率响应

1、方法A 是在去耦电容路径上添加一个串联电阻，可抑制系统谐振，但会降低高频旁路有效性；

2、方法B 是在铁氧体磁珠两端添加一个小数值并联电阻，这样也会抑制系统谐振。但是，在高频时滤波器的衰减特性会下降。图8显示了TLED1608E102TF 使用和不使用10Ω并联电阻的情况下阻抗与频率的关系曲线。浅绿色虚线表示磁珠采用10Ω并联电阻的总阻抗。磁珠阻抗和电阻组合大幅下降，并主要由10Ω电阻决定。但是采用10Ω并联电阻时的3.8 MHz交越频率远低于磁珠自身在40.3 MHz时的交越频率。在低得多的频率范围内磁珠表现出阻性，可降低Q值，改善阻尼性能。