三星电子昨天宣布展示世界上第一个基于 MRAM（磁阻随机存取存储器）的内存计算。有关这项创新的论文于 1 月 12 日由Nature在线发表，并将在即将出版的Nature印刷版中发表。这篇题为“用于内存计算的磁阻存储器件的交叉阵列”的论文展示了三星在内存技术方面的领先地位，以及它为下一代人工智能 (AI) 芯片合并内存和系统半导体的努力。
（论文链接：https://www.nature.com/articles/s41586-021-04196-6）
该研究是由三星高级技术研究院（SAIT）与三星电子代工业务和半导体研发中心一起展开，由SAIT研究员Seungchul Jung博士、SAIT研究员、哈佛大学教授Donhee Ham博士、以及SAIT技术副总裁Sang Joon Kim博士带领的团队进行。
在现代标准计算机架构中，数据存储在内存芯片中，数据计算在处理器中进行。相比之下，内存计算是一种新的计算方式，旨在在内存网络中同时执行数据存储和数据计算。由于该方案可以处理存储在内存网络本身的大量数据，而无需将数据传输，而且由于内存中的数据处理会以高度并行的方式进行，可以大大降低功耗。因此，内存计算已成为实现下一代低功耗人工智能半导体芯片最有前途的技术之一。
出于这个原因，内存计算的研究在世界范围内受到了强烈的追捧。非易失性存储器，特别是 RRAM（电阻随机存取存储器）和 PRAM（相变随机存取存储器），已被积极用于演示内存计算。相比之下，尽管 MRAM 具有运算速度、耐用性和大规模生产等优点，但迄今为止很难将 MRAM（另一种类型的非易失性存储器）用于内存计算。这个困难源于MRAM的低电阻，因此MRAM在用于标准内存计算架构时无法享受功耗降低的优势。
