近年来，我国5G产业发展势头惊人。整体来看，各细分领域整机制造、系统集成上已逐步接近或处于世界领先地位，但在射频微波和高端模拟领域核心芯片的设计与生产上仍与国外存在较大差距。为尽早摆脱受制于人的局面，同时在广阔的市场需求和国家政策的大力支持下，国内涌现出一批优秀的芯片设计公司。
作为国内无线基站前端芯片和固网接入芯片全方案解决商，成都明夷电子科技有限公司（简称：明夷科技）专注于高端射频微波芯片与高端模拟芯片研发设计，掌控核心自主研发和产业化能力。公司目前设有无线产品线、光电产品线和以太网PHY芯片产品线，产品已广泛应用于接入网、数据中心、无线基站、移动终端等应用场景中。
无线产品线包括有LNA、开关、单/双通道接收FEM、TX/RX DVGA、驱动放大器、分立式放大器管芯、Wi-Fi6/6E FEM等，提供5G m-MIMO、宏站和小站的射频小信号全套解决方案；光电产品线包括有5G、10G PON和数据中心等领域，提供10G EML Driver、10G PON OLT Combo方案，10G PON ONU套片、10G SFP + Transceiver等全系列解决方案以及5G前传、中回传的25G Transceiver芯片等。以太网PHY芯片产品线提供单口、四口、八口千兆以及2.5G以太网PHY芯片。
基于GaAs工艺开发
工作频段覆盖sub 6G频段
完全兼容TQL9092、TQP3M9037等业界主流产品
基于GaAs HBT工艺开发
工作频段覆盖0.7-5GHz
完全兼容QPA9121、TQP7M9102等业界主流产品
基于SOI工艺开发SPDT、SP4T、SP5T开关产品系列
具有宽频带，高隔离度，高耐功率等特点
完全兼容PE42452、RFSW6024等业界主流产品
工作频段覆盖2.3-5GHz
开关抗烧毁功率为10W
在国内主流厂商大批量出货
GaAs HBT放大器，SOI衰减器
工作频段覆盖0.4-3.8GHz
高集成度，高线性
基于CMOS工艺模拟类器件
包括高性能ADC，DAC，BandGap，模拟开关，Temperature sensor，时钟驱动器件等
典型应用场景：GaN/LDMOS控制器（48/32路DACs）、PA 栅压开关
提供2.6/3.5GHz多级分立式GaN管芯系列，Doherty架构
具有高增益、高效率等特点
能够与高通，博通，MTK等平台进行适配
2.4G和5G中高功率FEM
10G EPON、XGPON、XGSPON全套光电芯片解决方案
10G SFP+ LR/SR 应用场景
25G GaAs Based DML/EML Driver/CDR/ TIA
4*25G QSFP28 LR/ER应用CDR+DML/EML Driver
4*25G CDR/TIA
基于CMOS工艺开发
Single、Quad、Octal Port 10/100/1000 Gigabit Ethernet Transceiver 系列PHY
Four-speed 10/100/1000BASE-T/2.5GBASE-T PHY产品
车载、通信、工业自动化、电视、网络相机多场景解决方案
未来，明夷科技将继续扩大基站射频芯片和固网接入光电芯片优势，突破transceiver等高端模拟芯片技术，为客户提供更多通信芯片解决方案。同时，进军WiFi、手机射频芯片、MCU等消费领域，从而在基站、WiFi、终端和光通信等细分芯片领域均达到国际领先水平。
