详细为你讲解场效应管电路图符号

贸泽电子设计圈 2019-12-10 08:00
场效应管英文缩写为FET(Field-effect transistor),是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管,也有三个极,分别叫源极S,栅极G,漏极D。

由于根据使用的场合要求不同,场效应管种类繁多特性也都不尽相同。


场效应管的主要作用:


1、场效应管可应用于放大。由于场效应管的放大器输入阻抗很高,因此可以使用容量较小的耦合电容器,不必使用电解电容器。

2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可以用作可变电阻。

4、场效应管可以方便地用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开关。


我们在MPN中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用所以需要通过电流比较大所以是使用比较特殊的一种制造方法做出增强型的场效应管(MOS型)它的电路图符号

仔细看看你会发现,这两个图是有差别的。这实际上是两种不同的增强型场效应管,第一个叫N沟道增强型场效应管,第二个叫P沟道增强型场效应管,它们的的作用是刚好相反的。前面说过,场效应管是用电控制的开关,那么我们就先讲一下怎么使用它来当开关用。从图中我们可以看到它也像三极管一样有三个脚,这三个脚分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。MPN中的贴片元件示意图如下图:

1脚就是栅极,这个栅极就是控制极,在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通,N沟道增强型场效应管在栅极加上电压2脚和3脚就通电了,去掉电压就关断了,而P沟道增强型场效应管刚好相反,在栅极加上电压就关断(高电位),去掉电压(低电位)就相通了。


本文转载自:今日头条(版主:硬件电路基础)

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