曝光显影、探针测试、材料切片专家|CETC中国电科|三河建华高科有限责任公司

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  三河建华高科有限责任公司成立于2003613,隶属中国电子科技集团公司第四十五研究所。公司地处北京东燕郊经济技术开发区海油大街253号,占地100亩;公司现有总资产1.668亿元,资产负债率0.4%,银行信用等级AA+。公司现有各类技术人员60余人,高级技术职称15人。
  三河建华高科有限责任公司以打造中国半导体制造设备的引领者为目标,致力于半导体元器件材料加工和芯片制造及检测专用设备的研究开发与生产制造,倾力建设华北地区高精密机械、光学、电器零部件制造中心。

一、曝光设备

BG-401A曝光机
Mask Aligner
主要用于中小规模集成电路和半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。本产品操作方便、稳定性高、重复性好,并具有较高的性能价格比,可广泛应用于科研和生产


The machine is mainly used for alignment and exposure in process of small and middle scale ICIt is easy to operate, high stability, good repeatability, can be widely used in scientific research and production.
主要技术指标 Main Specifications
性能名称
技术指标
适用基片尺寸
Max. φ4″(φ100mm)
适用掩模版尺寸
Max. 5″(125mm×125mm)
基片与掩模版分离间隙
0~0.05mm
对准精度
±1μm
曝光分辨率
1.5μm(真空接触)
Performance name
Technical index
Substrate Size
Max. φ4″(φ100mm)
Mask Size
Max. 5″(125mm×125mm)
Separation Gap Between Substrate and Mask
0~0.05mm
Alignment Accuracy
±1μm
Exposure Resolution
1.5μm(Vacuum contact
BG-401B曝光机
Mask Aligner
主要用于中小规模集成电路和半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。本产品采用LED光源,操作方便、稳定性高、重复性好,并具有较高的性能价格比,可广泛应用于科研和生产


The machine is mainly used for alignment and exposure in process of small and middle scale ICIt is use LED light source, easy to operate, high stability, good repeatability, can be widely used in scientific research and production.
主要技术指标 Main Specifications
性能名称
技术指标
适用基片尺寸
Max. φ4″(φ100mm)
适用掩模版尺寸
Max. 5″(125mm×125mm)
基片与掩模版分离间隙
0~0.05mm
对准精度
±1μm
曝光光源
UVLED灯
曝光分辨率
1.5μm(正胶真空复印)

Performance name
Technical index
Substrate Size
Max. φ4″(φ100mm)
Mask Size
Max. 5″(125mm×125mm)
Separation Gap Between Substrate and Mask
0~0.05mm
Alignment Accuracy
±1μm
Exposure Light Source
UVLED lamp
Exposure Resolution
1.5μm(Positive PR  Vacuum contact
SB-402双面曝光机
Mask Aligner
该设备主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS)等领域的双面对准和曝光。
The machine is mainly designed by double aligning and exposure process of photoelectric device, power device, sensors, hybrid circuits,micro wave device and MEMS etc.
主要技术指标 Main Specifications
性能名称
技术指标
适用基片尺寸
Max. φ4″(φ100mm)
适用掩模版尺寸
Max. 5″(125mm×125mm)
上下掩模版对准精度
±3um
掩模对基片对准精度
±3μm(以单一面两标记形位检测)
曝光分辨率
3μm(正胶)5μm(负胶)

Performance name
Technical index
Substrate Size
Max. φ4″(φ100mm)
Mask Size
Max. 5″(125mm×125mm)
Mask Alignment Accuracy
±3μm
Mask to Substrate Alignment Accuracy
±3μm(Single-face two-mark detection
Exposure Resolution
3μm(Positive PR)5μm(Negative PR)
BG-406系列曝光机
Mask Aligner
BG-406系列曝光机主要用于中小规模集成电路、二极管、三极管、GPP器件、LED、电力电子器件、MEMS和其它半导体器件制造工艺中的对准和曝光。该系列曝光机包括4″、6″单/双面曝光机,可实现单/双面对准、单面曝光。
The series of BG-406 Mask Aligners could be used in aligning and exposure process of small or middle scale IC, Diode, dynatron, GPP, LED, Power Electronic devices, etc. The series of Mask Aligners include 4″,6″single/double sides aligning and single side exposure.
主要技术指标 Main Specifications
性能名称
技术指标
适用基片尺寸
Max 6″(φ150 mm)
适用掩模版尺寸
Max 7″(175×175 mm)
对准精度
顶部显微镜
±0.5μm
底部显微镜
±4μm
曝光分辨率
1.5μm(胶厚≤1μm正胶、真空接触)

Performance name
Technical index
Substrate Size
Max 6″(φ150 mm)
Mask Size
Max 7″(175×175 mm)
Alignment Accuracy
Top Microscope
±0.5μm
Bottom Microscope
±4μm
Exposure Resolution
1.5μm(Vacuum contact
BG-501曝光机
Mask Aligner
主要用于中小规模集成电路和半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。本产品操作方便、稳定性高、重复性好,并具有较高的性能价格比,可广泛应用于科研和生产
The machine is mainly used for alignment and exposure in process of small and middle scale ICIt is easy to operate, high stability, good repeatability, can be widely used in scientific research and production.
主要技术指标 Main Specifications
性能名称
技术指标
适用基片尺寸
Max. φ5″(φ125mm)
适用掩模版尺寸
Max. 6″(150mm×150mm)
基片与掩模版分离间隙
0~0.05mm
对准精度
±1μm
曝光分辨率
1.5um(正胶、真空接触)

Performance name
Technical index
Substrate Size
Max. φ5″(φ125mm)
Mask Size
Max. 6″(150mm×150mm)
Separation Gap Between Substrate and Mask
0~0.05mm
Alignment Accuracy
±1μm
Exposure Resolution
1.5um(Positive PR, vacuum contact
SB-602曝光机
Mask Aligner
该设备主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS)等领域的双面对准和曝光。
The machine is mainly designed by double aligning and exposure process of photoelectric device, power device, sensors, hybrid circuits,micro wave device and MEMS etc.
主要技术指标 Main Specifications
性能名称
技术指标
适用基片尺寸
Max. φ6″(φ150mm)
适用掩模版尺寸
Max. 7″(175mm×175mm)
上下掩模对准精度
±3μm
掩模对基片对准精度
±3μm(以单一面两标记形位检测)
曝光分辨率
6um(正胶、胶膜膜厚不大于1um)

Performance name
Technical index
Substrate Size
Max. φ6″(φ150mm)
Mask Size
Max. 7″(175mm×175mm)
Mask Alignment Accuracy
±3μm
Mask to Substrate Alignment Accuracy
±3μm(Single-face two-mark detection
Exposure Resolution
6um(The thickness of positive PR and film is not more than 1μm)
BG-408双工位曝光机
Mask Aligner
该设备为全自动曝光设备,主要用于中小规模集成电路和半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。本产品自动完成基片的传输、对准与曝光工艺,操作方便、生产效率高、稳定性高
The machine is a full-automatic exposure, mainly used for alignment and exposure in process of small and middle scale ICAutomatically completes the transmission, alignment and exposure process of substrate, which is convenient for operation, high production efficiency and high stability.
主要技术指标 Main Specifications
性能名称
技术指标
基片最大尺寸
φ100mm
掩模最大尺寸
125mm×125mm
硅片或衬底厚度
0.2~1.1mm
生产效率
260片/小时(一次曝光,曝光时间3s)
工作台
对准精度
5μm
曝光系统
曝光分辨率
2μm(接触曝光,正胶胶厚1um)

Performance name
Technical indicators
Maxi. Size of Wafer
φ100mm
Maxi. Size of Mask
125 mm×125 mm
Wafer Thickness
0.31.1mm
Productivity
26wafer/(first exposure, exposure time 3s)
Worktable
Alignment Accuracy
5μm
Exposure System
Exposure Resolution
2μm (Contact exposure, positive PR thick 1μm)



二、探针测试设备

ST-103A型手动探针测试台

ST-103A Manual Probe

该设备是手动型探针台。它与测试仪连接后,主要用于各种半导体器件芯片的电参数测试,适用于科研分析用途、及小批量生产及抽测。

The equipment is a manual probe. After it is connected with the tester, it is mainly used for testing the electrical parameters of semiconductor chipsIt is suitable for scientific research and analysis, small batch production and sampling test.

主要技术指标

可测片径:3"、4"、5"、6"

工作台行程:154mm×154mm

工作台操作方式:手轮

承片台Z向行程:2mm

□θ向调节范围:±45°

显微镜:双目体视、放大倍数14×90×

照明:LED环形灯

上、下片方式:手动方式

外形尺寸:600mm×460mm×510mm

重量:约50Kg

特殊配置
□ 可配高倍率显微镜(可选);
□ 可加装视频显示系统(可选)
□ 可配电磁屏蔽柜(可选)
□ 可配8”吸片盘、加热温控吸片盘(可选)
Main Specifications

□ Wafer Size:3"、4"、5"、6"

□ Working Stage Travel:154mm×154mm
□ Working Stage Operation: handwheel
□ Chuck Z-axis Travel: 2mm
□ θ Rotation Angle:±45°
□ Microscope: Magnification 14×90×□ Lighting: LED ring lamp
□ Manual Load/Unload
□ Outline Dimension:600mm×460mm×510mm
□ Weight: 50Kg

Special Configure

High magnification microscope (optional);

Video display system (optional)

EMI shield (optional)

8 "chuck and heating temperature control (optional)


TZ-603B自动探针测试台

TZ-603B Automatic Probe

该设备是高速、高精度机型,具有高可靠性。主要适于半导体分立器件,光电器件以及集成电路芯片的测试。它与测试仪连接后,能自动完成对芯片的电参数测试及功能测试。
The equipment is a high-speed, high-precision model with high reliability. It is mainly suitable for testing discrete devices, photoelectric devices and 
IC. After it is connected with the tester, it can automatically test the electrical parameters and functions of the chip.


主要技术指标

可测片径:4"、5"、6"
步距范围:0.005mm100mm
工作台最大行程:180mm×240mm
工作台速度:≥200mm/s
定位精度:≤±0.01mm/160mm
步进分辨率:0.001mm
承片台Z向行程:10mm
Z向定位精度:≤±0.003mm
Z向分辨率:0.001mm

□θ向调节范围:±10°

□θ向分辨率:0.0013°

□观察装置:双目体视显微镜放大倍数14×90×

上、下片方式:手动或自动方式
外形尺寸:700mm×800mm×1500mm

Main Specifications

Wafer Size:4",5",6"
Step Distance:0.005mm100mm
Max. Travel Range:180mm×240mm
X/Y Axis Speed:≥200mm/s
Positioning Accuracy:≤±0.01mm/160mm
Resolution:0.001mm
Chuck Z-axis Travel:10mm
Z-axis Positioning Accuracy:≤±0.003mm
Z-axis Resolution:0.001mm
□θ Rotation Angle:±10°
□θ Resolution:0.0013°
Magnification:14×90×Manual Load/Unload
Outline Dimension:700mm×800mm×1500mm


TZ-603C自动探针测试台

TZ-603C Automatic Probe

该设备是CCD自动对准的高性能自动机型,主要适用于GPP及其它晶圆的测试。它与测试仪连接后,能自动完成对芯片的电参数测试及功能测试。

The equipment is a high-performance automatic model of CCD alignment, which is mainly suitable for GPP and other wafer testing. After it is connected with the tester, it can automatically test the electrical parameters and functions of the chip.


主要技术指标

可测片径:3"、4"、6"
步距范围:0.005mm100mm
工作台最大行程:180mm×240mm
工作台速度:≥200mm/s
定位精度:≤±0.03mm/160mm
步进分辨率:0.001mm
承片台Z向行程:10mm
Z向定位精度:≤±0.003mm
Z向分辨率:0.001mm
□θ向调节范围:±10°
□θ向分辨率:0.0013°
显微镜:单筒远心定倍显微镜;
换挡变倍体视显微镜1×、3×(可选)
CCD自动扫描时间:12s
上、下片方式:手动方式
外形尺寸:700mm×800mm×1500mm

Main Specifications

Wafer Size:3"、4"6"
Step Distance:0.005mm100mm
Max. Travel Range:180mm×240mm
X/Y Axis Speed:≥200mm/s
Positioning Accuracy:≤±0.03mm/160mm
Resolution:0.001mm
Chuck Z-axis Travel:10mm
Z-axis Positioning Accuracy: ≤±0.003mm
Z-axis Resolution:0.001mm
□θRotation Angle:±10°
□θResolution:0.0013°
Microscope: monocular fixed magnification
□Step Microscope 1×、3×(optional)
□Alignment Time:12s
Manual Load/Unload
□Outline Dimension:700mm×800mm×1500mm


TZ-803A自动探针测试台
TZ-803
Automatic Probe

该设备主要用于半导体分立器件,光电器件以及集成电路晶圆上各个芯片的电参数分析、测试。该设备配接测试仪后,能自动完成芯片的电参数测试功能。

The equipment is mainly used for the analysis and test of the electrical parameters of discrete devices, photoelectric devices and ICAfter it is connected with the tester, it can automatically test the electrical parameters and functions of the chip.


主要技术指标

□可测片径:5″、6″、8″

□工作台最大行程:240mm×300mm

□定位精度:≤±0.010mm/200mm

□工作台最大速度:200mm/s

□步进分辨:0.001mm

□承片台Z向行程:20mm

□Z向定位精度:≤±0.003mm

□Z向分辨率:0.001mm

□θ向调节范围:±6°

□θ自动对准精度:≤±0.01°

□步距范围:0.005mm~100mm

□观察装置:显微镜放大倍数14×~90×

□外形尺寸:750mm×1250mm×1600mm

Main Specifications

Wafer Size:5"、6"、8"

Max. Travel Range:240mm×300mm

X/Y Positioning Accuracy:≤±0.010mm/200mm

X/Y Axis Speed:200mm/s

X/Y Resolution:0.001mm

Chuck Z-axis Travel:20mm

Z-axis Positioning Accuracy: ≤±0.003mm

Z-axis Resolution:0.001mm

□θ Rotation Angle:±6°

□Alignment Accuracy: ≤±0.01°

Step Distance:0.005mm100mm

Magnification:14×~90×□Outline Dimension:750mm×1250mm×1600mm


TZ-501全自动探针测试台
TZ-
501 Automatic Probe

该设备为全自动设备,主要用于半导体分立器件GPP芯片的电参数分析、测试。该设备配接测试仪后,能自动完成芯片的电参数测试功能。

The equipment is fully automatic, which is mainly used for the analysis and test of the electrical parameters of the discrete device and GPP chip. After it is connected with the tester, it can automatically test the electrical parameters and functions of the chip.

主要技术指标

□可测片径:5″

□工作台最大行程:170mm×240mm

□定位精度:≤±0.030mm/150mm

□工作台速度:≥200mm/s

□步进分辨率:0.001mm

□承片台Z向行程:10mm

□Z向重复定位精度:≤±0.003mm

□Z向分辨率:0.001mm

□θ向自动调节范围:±10°

□θ向分辨率:0.0013°

□料盒移动行程:200mm

□机械手XY行程:100mm×200mm

□机械手θ向:0°~90°

□步距范围:0.005mm~100mm

□CCD光源调节方式:手动调节

□上、下片方式:机械手自动方式

□外形尺寸:1000mm×800mm×1500mm

Main Specifications

Wafer Size:5"

Max. Travel Range:170mm×240mm

X/Y Positioning Accuracy:≤±0.030mm/150mm

X/Y Axis Speed: ≥200mm/s

X/Y Resolution:0.001mm

Chuck Z-axis Travel:10mm

Z-axis Positioning Accuracy:≤±0.003mm

Z-axis Resolution:0.001mm

□θ Rotation Angle:±10°

□θResolution:0.0013°

Cassette Range:200mm

Manipulator XY Range: 100mm×200mm

Manipulator θ Range: 0°~90°

Step Distance: 0.005mm100mm

CCD light Adjustment : manual

Load and unload: automatic mode

□Outline Dimension:1000mm×800mm×1500mm


TZ-502双工位全自动探针测试台
TZ-
502 Double station automatic probe

该设备为双工位全自动设备,主要用于半导体分立器件GPP芯片的电参数分析、测试。该设备配接测试仪后,能自动完成芯片的电参数测试功能。

The equipment is double station fully automatic, which is mainly used for the analysis and test of the electrical parameters of the discrete device and GPP chip. After it is connected with the tester, it can automatically test the electrical parameters and functions of the chip.


主要技术指标

□可测片径:5″

□工作台最大行程:170mm×240mm

□定位精度:≤±0.030mm/150mm

□工作台速度:≥200mm/s

□步进分辨率:0.001mm

□承片台Z向行程:10mm

□Z向重复定位精度:≤±0.003mm

□Z向分辨率:0.001mm

□θ向自动调节范围:±10°

□θ向分辨率:0.0013°

□料盒移动行程:200mm

□机械手XY行程:100mm×200mm

□机械手θ向:0°~90°

□步距范围:0.005mm~100mm

□CCD光源调节方式:手动调节

□上、下片方式:机械手自动方式

□外形尺寸:1000mm×800mm×1500mm

Main Specifications

Wafer Size:5"

Max. Travel Range:170mm×240mm

X/Y Positioning Accuracy:≤±0.030mm/150mm

X/Y Axis Speed: ≥200mm/s

X/Y Resolution:0.001mm

Chuck Z-axis Travel:10mm

Z-axis Positioning Accuracy:≤±0.003mm

Z-axis Resolution:0.001mm

□θ Rotation Angle:±10°

□θResolution:0.0013°

Cassette Range:200mm

Manipulator XY Range: 100mm×200mm

Manipulator θ Range: 0°~90°

Step Distance: 0.005mm100mm

CCD light Adjustment : manual

Load and unload: automatic mode

□Outline Dimension:1000mm×800mm×1500mm


三、匀胶显影设备

DYX-430SY自动匀胶机
DYX-430SY Automatic Coater
该设备主要用于LED、MEMS、IC等行业标准晶圆匀胶、预烘工艺。
The equipment is mainly used for wafer coater and pre baker process in LED, MEMS, IC, etc.
主要技术特点 Main Features
采用星型布局形式,结构紧凑,效率高。
Adopt star layout, compact structure and high efficiency.
上/下片工位 Up / Down Station
铝制标准晶圆片盒,不变形、易转片。
Aluminum standard cassette, no deformation, easy to turn.
双臂机械手 Double Arm Robot
选用进口多关节双臂机械手,不仅具有较高的刚度、灵活性,而且传输速度快,定位精度高。
The imported multi joint double arm bobot not only has high rigidity and flexibility, but also has fast transmission speed and high positioning accuracy.
匀胶单元 Coater Unit
匀胶腔采用进口PP材料制成,主轴电机采用进口定制的中空轴交流无刷伺服电机,保证旋转转速、加速度控制精度高,重复性、稳定性好。
The cup is made of imported PP material. The spindle motor adopts the imported customized hollow AC brushless servo motor, ensure high accuracy, repeatability and stability of rotation speed and acceleration control.
冷/热板单元 CP/HP Unit
冷板/热板单元是对晶圆进行预烘及冷却处理,晶圆与盘体为非直接接触方式,温度稳定、精度高。
The CP/HP unit is to pre bake and cool the waferThe wafer and the plate are not in direct contact, stable temperature and high precision.
DYX-430SY自动匀胶机主要技术指标
Main Specifications of DYX-430SY
晶圆尺寸:3″、4″
机械手:1套
匀胶单元:3套
主轴转速:0~6000rpm,最小调整量:1rpm
转速精度:±1rpm(50~5000rpm)
主轴加速度:100~20000rpm/sec
胶液数量:2路
背洗功能:可选
去边功能:可选
光刻胶供给:精密胶泵
光刻胶供给量:1~10ml
光刻胶供给精度:±0.1ml
光刻胶粘度:≤1000Cp
光刻胶过滤:可选
热板数量:6套
温度范围:室温~180℃
最小调整量:0.1℃
加热方式:云母加热片加热
温度均匀性:±1℃@50℃~120℃、±2℃@120.1℃~180℃
冷板数量:2套
冷却方式:厂务冷却水循环冷却
水温范围:18℃~30℃
外形尺寸:L1750mm×W1600mm×H1900mm
重量:1600Kg
Wafer Size: 3″, 4″
Robot: 1 set
Coater Unit: 3 sets
Spindle Speed: 06000rpm, min. adjustment: 1rpm
Speed Accuracy: ±1rpm(505000rpm)
Spindle Acceleration: 10020000rpm/sec
RP Quantity: 2 sets
BSR: optional
EBR: optional
PR Supply: precision PR pump
PR Supply: 110ml
PR Supply Accuracy: ±0.1ml
PR Viscosity: ≤1000cp
PR Filtration: optional
Number of HP: 6 sets
Temperature Range: room temperature ~180℃
Min. Adjustment: 0.1℃
Heating Method: mica heating
Temperature Uniformity: ±1℃@50℃~120℃,±2℃@120.1℃~180 ℃
Number of CP: 2 sets
Cooling Mode: factory cooling water
Water Temperature Range: 18℃~30℃
Outline Dimension: L1750mm×W1600mm ×H1900mm
Weight: 1600Kg
DYX-420SY全自动匀胶机
DYX-420SY Automatic Coater
该设备为星型全自动匀胶设备,主要应用于4″或5″晶圆涂胶、预烘工艺。采用标准片盒收放片,工艺过程单片处理,自动运行,主要适用于分立器件、功率器件等领域。
The equipment is a star type fully automatic coater. It is mainly used in 4 ″ or 5 ″ wafer coating and pre baker process. Adopt the standard cassette, single-chip processing, automatic operation. It is mainly suitable for discrete devices, power devices, etc.
主要技术特点 Main Features
传输机构 Transfer Unit
传输机构采用机械手进行晶圆的承载及传输,性能稳定,对晶圆背面污染小。
The transfer unit adopts robot to carry and transmit the wafer, which has stable performance and little pollution to the back of the wafer.
匀胶单元 Coater Unit
采用不锈钢匀胶腔体,中空轴伺服电机,具有密闭腔盖,保证匀胶过程中不产生胶丝。
It adopts stainless steel cup, hollow axis servo motor and sealed cup cover to ensure that no glue wire is produced in the process of coater.
热板单元 HP Unit
采用硬质阳极氧化热盘,受热均匀,易于擦拭。
Adopt hard anodizing hot plate, heat evenly, easy to wipe.
DYX-420SY自动匀胶机主要技术指标
Main Specifications of DYX-420SY
晶圆尺寸:4″、5″
上/下片单元数量:4个(两个上片、两个下片)
手指数量:2个
胶腔数量:2个
主轴转速:0~5000rpm,最高:5000rpm
转速精度:±2rpm (50~5000rpm)
光刻胶供给量(Teflon吐出泵):1~10ml
光刻胶供给精度:±0.1ml
光刻胶粘度:≤500Cp
热板数量:4个
温度范围:室温~180℃±1℃(可设置)
最小调整量:0.1℃
温度均匀性:±2℃@50℃~100℃、±3℃@100.1℃~180℃
外形尺寸:L1400mm×W1200mm×H1800mm
重量:800Kg
Wafer Size: 4″, 5″
Number of Up / Down Cassette: 4 (two up and two down)
Number of fingers: 2
Number of Coater: 2
Spindle Speed: 05000rpm, maximum: 5000rpm
Speed Accuracy: ±2rpm(505000rpm)
PR Supply (Teflon Pump): 110ml
PR Supply Accuracy: ±0.1ml
PR viscosity: ≤500cp
Number of HP: 4
Temperature Range: room temperature~180℃±1℃
Minimum Adjustment: 0.1℃
Temperature Uniformity: ±2℃@50℃~100℃, ±3℃@100.1℃~180℃
Outline Dimension: L1400mm×W1200mm×H1800mm
Weight: 800Kg
DYX-430Y自动匀胶机
DYX-430Y Automatic Coater
该设备为手动上下片,自动滴胶设备,可完成匀胶后烘焙工艺。最大适用5″标准晶圆,主要应用于分立器件、功率器件等行业。
The equipment is a manual up and down wafer, automatic PR dropping equipment, which can complete the baking process after coater. It is applicable to 5 " wafer, mainly used in discrete devices, power devices and other industries.
主要技术特点 Main Features
匀胶单元 Coater Unit
采用不锈钢匀胶腔体,中空轴伺服电机,具有密闭腔盖,保证匀胶过程中不产生胶丝。
It adopts stainless steel cup, hollow axis servo motor and sealed cup cover to ensure that no glue wire is produced in the process of coater.
热板单元 HP Unit
升温快、烘焙效果好,具有条形凸起,方便人工取放。
Fast temperature rise, good baking effect, with hump structure, convenient for manual access.
胶泵单元 PR Pump Unit
光刻胶采用精密胶泵供给,精度高,供液稳定可靠。
PR is supplied by precise PR pump with high precision and stable and reliable liquid supply.
DYX-430Y自动匀胶机主要技术指标
Main Specifications of DYX-430Y
最大晶圆尺寸:5″
胶腔数量:3个
胶腔材质:不锈钢
主轴转速:0~5000rpm,最高:5000rpm
转速精度:±2rpm (50~5000rpm)
光刻胶供给量(Teflon吐出泵):1~10ml
光刻胶供给精度:±0.1ml
光刻胶粘度:≤500Cp
热板数量:1个
温度范围:50~150℃
外形尺寸:L1500mm×W1000mm×H1800mm
重量:400Kg
Maximum wafer size: 5″
Number of Coater: 3
Cup Material: stainless steel
Spindle Speed: 05000rpm, maximum: 5000rpm
Speed Accuracy: ±2rpm(505000rpm)
PR Supply (Teflon pump): 110ml
Photoresist supply accuracy: ± 0.1ml
PR Viscosity: ≤500cp
Number of HP: 1
Temperature Range: 50150℃
Outline Dimension: L1500mm×W1000mm×H1800mm
Weight: 400Kg
DYX-810P喷雾涂胶机
DYX-810P Spray Coater
该产品适用于具有崎岖表面的异形基片表面光刻胶涂覆,主要应用于MEMS、陶瓷器件等领域。
It is suitable for PR coating on the surface of special-shaped substrate with rugged surface, mainly used in MEMS, ceramic devices and other fields.
主要技术特点 Main Features
喷胶单元 Spray Unit
采用超声或二流体喷头进行光刻胶雾化,光刻胶采用专用精密供液泵供给,精度高,供液稳定可靠。
Ultrasonic or two fluid spray nozzle is used for PR sprayPR is supplied by special pump with high precision and stable liquid supply.
工作台 Worktable Unit
XYZ轴工作台采用精密电缸驱动,无污染,扫描速度及加速度精度高、稳定性好。
XYZ axis worktable is driven by precision electric cylinder, no pollution, high accuracy of scanning speed and acceleration, good stability.
主轴单元 Spindle Unit
主轴电机采用交流无刷伺服电机,保证旋转转速、加速度控制精度高,稳定性好;加热机构采用接触式烘焙,加热控制精度高,温度均匀性好。
The main spindle motor adopts AC servo motor to ensure high accuracy and stability of rotation speed and acceleration control; the HP adopts contact baking, with high accuracy of heating control and good temperature uniformity.
DYX-810P自动匀胶机主要技术指标
Main Specifications of DYX-810P
最大晶圆尺寸:8″
胶腔数量:1个
胶腔材质:进口PP
主轴转速:0~200rpm,额定:100rpm
转速精度:±1rpm (0~100rpm)
光刻胶粘度:≤100Cp
喷嘴数量:1套
胶液流量:1~5ml/min
胶液供给精度:±0.1ml
雾化气体压力:0.1~0.3MPa
雾化气体流量:10~30L/min
电缸X轴最大速度:200mm/s
电缸Y轴最大速度:200mm/s
电缸精度:±0.1mm
温度范围:50~150℃
温度均匀性:±3℃
外形尺寸:L1500mm×W960mm×H1600mm
重量:400Kg
Maximum Wafer Size: 8″
Number of Cup: 1
Cup Material: PP
Spindle Speed: 0200rpm, rated: 100rpm
Speed Accuracy: ±1rpm(0100rpm)
PR Viscosity: ≤100CP
Nozzle Quantity: 1 set
PR flow: 15ml/min
PR Supply Accuracy: ±0.1ml
N2 Pressure: 0.10.3MPa
N2 flow: 1030L/min
Maximum Speed of X: 200mm/s
Maximum speed of Y: 200mm/s
Accuracy of XY: ±0.1mm
Temperature Range: 50150℃
Temperature Uniformity: ±3℃
Outline Dimension: L1500mm×W960mm×H1600mm
Weight: 400Kg
 DYX-640S自动匀胶显影机
DYX-640S Automatic Coater & Developer
该设备主要用于LED、MEMS、IC等行业标准晶圆匀胶、、显影、预烘工艺。
The equipment is mainly used for wafer coater developer and pre baker process in LED, MEMS, IC, etc.
主要技术特点 Main Features
采用星型布局形式,结构紧凑,效率高。
Adopt star layout, compact structure and high efficiency.
上/下片工位 Up / Down Station
铝制标准晶圆片盒,不变形、易转片。
Aluminum standard cassette, no deformation, easy to turn.
双臂机械手 Double Arm Robot
选用进口多关节双臂机械手,不仅具有较高的刚度、灵活性,而且传输速度快,定位精度高。
The imported multi joint double arm bobot not only has high rigidity and flexibility, but also has fast transmission speed and high positioning accuracy.
匀胶单元 Coater Unit
匀胶腔采用进口PP材料制成,主轴电机采用进口定制的中空轴交流无刷伺服电机,保证旋转转速、加速度控制精度高,重复性、稳定性好。
The cup is made of imported PP material. The spindle motor adopts the imported customized hollow AC brushless servo motor, ensure high accuracy, repeatability and stability of rotation speed and acceleration control.
显影单元 Developer Unit
显影腔特殊结构设计可实现废液收集、气流控制等功能,使显影工艺条件达到最佳。
The developer cup can realize the functions of waste liquid collection, air flow control, etc., so as to optimize the developing process conditions.
冷/热板单元 CP/HP Unit
冷板/热板单元是对晶圆进行预烘及冷却处理,晶圆与盘体为非直接接触方式,温度稳定、精度高。
The CP/HP unit is to pre bake and cool the waferThe wafer and the plate are not in direct contact, stable temperature and high precision.
DYX-640S自动匀胶显影机主要技术指标
Main Specifications of DYX-640S
晶圆尺寸:4″、6″
机械手:1套
匀胶单元:2套
显影单元:2套
主轴转速:0~6000rpm,最小调整量:1rpm
转速精度:±1rpm(50~5000rpm)
主轴加速度:100~20000rpm/sec
胶液数量:2路
背洗功能:可选
去边功能:可选
光刻胶供给:精密胶泵
光刻胶供给量:1~10ml
光刻胶供给精度:±0.1ml
光刻胶粘度:≤1000Cp
光刻胶过滤:可选
显影液数量:2路
喷嘴形式:柱状或H型
供液方式:不锈钢压力罐
背洗功能:有(纯水)
热板数量:≤9套
温度范围:室温~180℃
最小调整量:0.1℃
加热方式:云母加热片加热
温度均匀性:±1℃@50℃~120℃、±2℃@120.1℃~180℃
增粘模块:可选
冷板数量:≤3套
冷却方式:厂务冷却水循环冷却
水温范围:18℃~30℃
外形尺寸:L1950mm×W1700mm×H1900mm
重量:1800Kg
Wafer Size: 4″, 6″
Robot: 1 set
Coater Unit: 2 sets
Developer Unit:2 sets
Spindle Speed: 06000rpm, min. adjustment: 1rpm
Speed Accuracy: ±1rpm(505000rpm)
Spindle Acceleration: 10020000rpm/sec
RP Quantity: 2 sets
BSR: optional
EBR: optional
PR Supply: precision PR pump
PR Supply: 110ml
PR Supply Accuracy: ±0.1ml
PR Viscosity: ≤1000cp
PR Filtration: optional
Developer Quantity: 2 sets
Nozzle Type: column or H type
Supply Mode: stainless steel pressure tank
BSR: Yes (DIW)
Number of HP≤9 sets
Temperature Range: room temperature ~180℃
Min. Adjustment: 0.1℃
Heating Method: mica heating
Temperature Uniformity: ±1℃@50℃~120℃,±2℃@120.1℃~180 ℃
AD Modeoptional
Number of CP≤3 sets
Cooling Mode: factory cooling water
Water Temperature Range: 18℃~30℃
Outline Dimension: L1750mm×W1600mm ×H1900mm
Weight: 1600Kg



四、内圆切片设备

QP系列内圆切片机
QP Series of Inner Circle Slicer
该系列产品主要用于半导体材料、玻璃、陶瓷、钽酸锂、闪烁晶体、碲锌镉等脆硬材料的切割。
This series of products are mainly used for cutting brittle and hard materials such as semiconductor materials, glass, ceramics, lithium tantalite, scintillation crystal, CdZnTe, etc.
QP-301D 内圆切片机
QP-613B 内圆切片机
QP-301D 内圆切片机主要技术指标
Main Specifications of QP-301D
切割晶圆尺寸
≤φ100mm
Diameter of Cutting Ingot
≤φ100mm
刀片规格
φ422mm×Ф152mm×
0.15mm
Blade Standard
φ422mm×Ф152mm×0.15mm
切割晶棒最大长度
350mm
Max. Length of Cutting Ingot
350mm
送料进给步距偏差
±0.007mm
Feed Step Deviation
±0.007mm
片厚设定范围
0.01~40.00mm
Thickness Setting Range
0.01~40.00mm
水平晶向调节
(X)±7°(分辨率2')
Adjustment of Horizontal Crystal Direction
(X)±7°(resolution:2')
垂直晶向调节
(Y)±7°(分辨率2')
Adjustment of Vertical Crystal Direction
(Y)±7°(resolution:2')
φ422mm规格加深型刀盘配置方案,使刀厚设定范围最大可达58mm(QP-301T)。
φ 422mm deepened blade plate makes the maximum setting range of cutter thickness reach 58mm (QP-301T).
φ457mm规格刀盘配置方案,使切割晶棒最大直径可达φ105mm(QP-401)。
φ 457mm blade plate can make the maximum diameter to φ 105mm (QP-401).

QP-613B 内圆切片机主要技术指标
Main Specifications of QP-613B
切割晶圆尺寸
≤φ153mm
Diameter of Cutting Ingot
≤φ153mm
刀片规格
φ690mm×Ф241mm×0.15mm
Blade Standard
φ690mm×Ф241mm×0.15mm
切割晶棒最大长度
400mm
Max. Length of Cutting Ingot
400mm
送料进给步距偏差
±0.005mm
Feed Step Deviation
±0.005mm
片厚设定范围
0.001~68.00mm
Thickness Setting Range
0.001~68.00mm
水平晶向调节
(X)±7°(分辨率2')
Adjustment of Horizontal Crystal Direction
(X)±7°(resolution:2')
垂直晶向调节
(Y)±7°(分辨率2')
Adjustment of Vertical Crystal Direction
(Y)±7°(resolution:2')




半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广,包括:曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广,包括:湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。
评论
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