三星量产DDR5内存, 14nm EUV领先美光、SK海力士

三大（美光、SK海力士、三星）DRAM大厂都已进攻EUV工艺，前两者都早于三星实现了量产，三星此时才宣布量产的优势在哪些方面？

三星电子12日宣布，已开始量产14nmDRAM，这是业界最先进的紫外（EUV）工艺。主导DRAM市场的三星电子，其战略是扩大技术差距并超越竞争对手。三星电子这次开始量产的工艺是将EUV应用于14纳米的 5 层。EUV的应用通过实现更详细的半导体电路实现，有助于提高性能和良率。三星电子的14纳米DRAM应用了 5 层EUV工艺，具有业界最高的晶圆密度，与上一代相比，生产率提高了约20%，功耗降低了约20%。

三星首款14纳米DRAM

“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，三星活跃全球DRAM市场近三十年”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正通过多层EUV技术，树立了一座新的技术里程碑，实现了更加微型化的14纳米工艺，而这也是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的在此基础上，三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求”

随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，EUV技术变得越来越重要，因为它能提升图案准确性，从而获得更高性能和更大产量通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，同时，整体晶圆生产率提升了约20%此外，与上一代DRAM工艺相比，14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗

根据最新DDR5标准，三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度：高达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多

三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求

此前，美光于今年1月宣布10nm级第4代（1a）DRAM量产成功，SK海力士也于7月开始量产应用EUV的1aDRAM。虽然他们没有指明具体数字，但业界将SK海力士和美光都视为14纳米级DRAM。美光没有应用EUV，而SK海力士只在一层应用了EUV。三星电子虽然量产有点晚，但通过拉大技术差距，在未来的DRAM竞争中获得了优势。特别是基于14纳米工艺和高成熟度EUV工艺技术，实现差异化性能和稳定良率，是引领DDR5DRAM普及的战略。根据市场研究公司Omdia的数据，三星电子今年第二季度的DRAM市场份额为43.2%，是前三名公司中唯一比第一季度增长的公司。三星电子的市场份额比第一季度增长了2.0%，比去年同期增长了1.1%。一位半导体行业人士表示，“随着工艺的精细化，降低成本的难度越来越大。”“即使是0.1纳米的差异也可能导致竞争力的巨大差异，因为在性能、每片晶圆的方向性、数量上存在差异。

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