PLC闪存技术之后，铠侠将进攻HLC和OLC

说起来，SSD和机械硬盘，提升容量的方式有些相似，前者主要靠提高每单元存储的电位数量和增加堆叠层数，而后者则是靠增大盘片容量和盘片数。

闪存颗粒的演进我们已经看在眼里，MLC SSD已经基本在消费市场绝迹，目前主要是TLC尤其是QLC打天下。

所谓QLC就是每单元存储4个电位，而取代它的将是存储5电位的PLC（penta level cell）。

实际上，铠侠（原东芝存储）早在2019年就投入了PLC闪存技术的研究。铠侠最近披露表示，PLC之后，还有存储6电位的HLC（hexa level cell）和存储8电位的OLC（octa level cell）。

因为要存储多个电位，就需要不同的电压状态，QLC是2的4次方，也就是16个电压状态，PLC是32个，相应地，HLC需要多达64种电压状态，这对主控将是极大的考验，毕竟64种电信号不能相互干扰。虽然市场上的主流 SSD 还是 TLC 或者 QLC，但是目前闪存厂商都开始尝试研发下一代的闪存产品了。

尽管难度高，但HLC的存储密度毕竟比QLC高出50%，对厂商的诱惑还是很大。

经过如此变态的处理后，铠侠研发人员实现了维持 100 分钟的每存储单元 6 位元数据读取、写入，而且耐用度达到了 1000 次循环。当然，这离不开零下 196 摄氏度的助力。据估计，如果是常温下的话，耐用度会降低一个数量级，跌到 100 次循环。

HLC 和 QLC 相比提高了 50% 的存储密度，相比于 PLC 只提升了 25%，HLC 在商业上具有更高的实现价值。除此以外，铠侠还认为 OLC 或者说 8LC 在技术上也是存在可能性的，目前的主要问题是寻找合适的材料、设计以及主控，最终也许可以让 6LC 和 8LC 在商业上也有可行性。

当然，大家不用太担忧，因为HLC时代，存储容量将非常夸张，堆叠层数也会在600~1000次甚至更多，这意味要写满一次SSD，需要的时间并不会比现在的TLC、QLC明显差很多。

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