意法半导体8英寸碳化硅晶圆片突破，SiC晶圆升级200mm-电子工程专辑

 意法半导体SiC碳化硅晶圆升级到200mm，标志着意法半导体面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功。

半导体大厂意法半导体今天宣布，位于瑞典的北雪平工厂，已经成功制造出首批200mm(8英寸)的碳化硅(SiC)晶圆，将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

意法半导体表示，这标志着该公司面向汽车、工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，巩固了在这一开创性技术领域的领导地位，提高了电力电子芯片的轻量化和能效，降低客户获取这些产品的总拥有成本。

碳化硅是一种化合物半导体材料，与硅材料相比，本征特性可提供更高的性能、能效，适合电动汽车、工业制造过程等重要的高增长电力应用领域。

意法半导体在碳化硅晶圆的研发上已经投入了25年之久，拥有70多项专利，2019年还收购了Norstel，并改名为意法半导体碳化硅公司，获得了碳化硅硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀。

意法半导体表示，首批200mm碳化硅晶圆质量上乘，影响芯片良率、晶体位错的缺陷非常少。

对比150mm晶圆，200mm晶圆可增加产能，可用面积扩大几乎一倍，合格芯片产量则增加80-90％。

新晶圆可以实现更高效的电能转换，更小、更轻量化的设计，节省系统设计总体成本，而这些都是决定汽车和工业系统成功的关键参数和因素。

新的碳化硅晶圆是在意大利卡塔尼亚、新加坡宏茂桥两家150mm晶圆厂完成前工序制造的，而后工序制造在中国深圳、摩洛哥布斯库拉的两家封测厂进行。

责编：editorAlice

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