意法半导体8英寸碳化硅晶圆片突破，SiC晶圆升级200mm

半导体大厂意法半导体今天宣布，位于瑞典的北雪平工厂，已经成功制造出首批200mm(8英寸)的碳化硅(SiC)晶圆，将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

意法半导体表示，这标志着该公司面向汽车、工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，巩固了在这一开创性技术领域的领导地位，提高了电力电子芯片的轻量化和能效，降低客户获取这些产品的总拥有成本。

碳化硅是一种化合物半导体材料，与硅材料相比，本征特性可提供更高的性能、能效，适合电动汽车、工业制造过程等重要的高增长电力应用领域。

意法半导体在碳化硅晶圆的研发上已经投入了25年之久，拥有70多项专利，2019年还收购了Norstel，并改名为意法半导体碳化硅公司，获得了碳化硅硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀。

意法半导体表示，首批200mm碳化硅晶圆质量上乘，影响芯片良率、晶体位错的缺陷非常少。

对比150mm晶圆，200mm晶圆可增加产能，可用面积扩大几乎一倍，合格芯片产量则增加80-90％。

新晶圆可以实现更高效的电能转换，更小、更轻量化的设计，节省系统设计总体成本，而这些都是决定汽车和工业系统成功的关键参数和因素。

新的碳化硅晶圆是在意大利卡塔尼亚、新加坡宏茂桥两家150mm晶圆厂完成前工序制造的，而后工序制造在中国深圳、摩洛哥布斯库拉的两家封测厂进行。

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