所谓的传统芯片就是硅基芯片,目前国际上的芯片几乎无一例外都是这类材质的,如今华为开始换道超车,发展新一代半导体材料。华为押注第三代半导体,投资碳化硅材料企业,目的是为了在将来第三代半导体时代到来之前,拥有可控的产业优势。
除了投资“芯片之母”EDA企业,企查查工商资料显示,华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司,后者注册资本也从9027万元增加到9770万元,增幅8%。
据悉,东莞市天域半导体成立于2009年,位于松山湖高新技术产业园区,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。
2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”,目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备,生产技术达到国际先进水平。
至于深圳哈勃科技,华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%,今年4月刚刚成立。
所谓第三代半导体,主要是二十一世纪以来以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料,即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅(Si)、锗元素(Ge),第二代主要是化合物半导体材料。
碳化硅有什么优势?
碳化硅是一种碳硅元素结合而来的化合物,又被称为宽禁带半导体材料。这种物质首次被发现于1891年,历时百年的研发后,国际上已经实现了对碳化硅优质性能的提炼发现,并将制成更多的半导体组件。
比起传统硅基材料,碳化硅的导热性能更好,大概是传统芯片的五倍,至于其他性能更是硅基材料无可比拟的存在。因此采用碳化硅制造出来的芯片,其耐高温高压的性能会更好,未来芯片的使用寿命也会得到大幅提升。
碳化硅材料的研发难度
如今传统硅基材料之所以发展规模大,一部分原因在于材料非常容易获取,且价格非常廉价,三天的时间内就能生产出最多3米长的硅基材料,而这么一根就能产出上千片硅基芯片。可是反观碳化硅,同样的时间内,产能最多只有几厘米,因此可以想象其售价会多高,一个六英寸的硅基芯片需要150元,而同样尺寸的碳化硅芯片最高能达到10000块。
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