SK海力士HBM3新技术标准:带宽超665GB/s、I/O5.2Gbps比上一代提升45％

本文所提及的HBM、高带宽存储器是什么? HBM三个版本HBM、HBM2和HBM2E带宽、性能参数分别怎样。近日SK海力士（SK Hynix）公布的HBM3规范和预期带宽速度等信息。

HBM、高带宽存储器是什么？

高带宽存储器（High Bandwidth Memory）也就是平常称为HBM的DRAM，是基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，主要针对高端显卡市场。HBM使用了3D TSV和2.5D TSV技术，通过3D TSV把多块内存芯片堆叠在一起，并使用2.5D TSV技术把堆叠内存芯片和GPU在载板上实现互连。适用于高存储器带宽需求的应用场景。虽然HBM没有成为显卡的主流DRAM，但是在需要高带宽的数据中心等领域，仍不时见到其身影。

HBM目前有三个版本，分别是HBM、HBM2和HBM2E，其带宽分别为128 GBps/Stack、256 GBps/Stack和307 GBps/Stack，最新的HBM3还在研发中。

AMD、NVIDIA和海力士主推的HBM标准，AMD首先在其旗舰显卡首先使用HBM标准，显存带宽可达512 GBps，NVIDIA也紧追其后，使用HBM标准实现1TBps的显存带宽。和DDR5相比，HBM性能提升超过了3倍，但功耗却降低了50%。

下一代SK海力士HBM3版本威猛，带宽665GB/s 

JEDEC标准组织还没有公布下一代HBM3高带宽内存/显存的具体规范，SK海力士已经坐不住了，预告了自己的规划。

SK海力士称，他们的HBM3可以做到I/O输入输出速度不低于5.2Gbps，带宽则不低于665GB/s，相比于HBM2E 3.6Gbps、460GB/s的规格都猛增了多达45％。

如果使用四颗，带宽就可以做到恐怖的2.6TB/s，GDDR6X什么的都弱爆了。

HMB2E 的带宽仅能达到 460 Gbps（来自：SK Hynix 官网）

SK海力士2019年8月第一个提出了HBM2E，2020年7月投入量产，利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb(2GB)，单颗容量翻番到16GB，四颗组合就是4096-bit位宽、64GB容量、1.8TB/s带宽。

HBM高带宽显存在历史上就是SK海力士第一个搞定的，首发于AMD Fiji系列显卡，Vega家族也用过，但因为成本高昂、性能提升效果不够明显，AMD游戏卡已经不再使用，NVIDIA游戏卡更是从未使用。

SK海力士没有透露HBM3的发布日期，预计不会这么快进入消费级市场应用在显卡上。过往AMD在Radeon显卡上使用了HBM作为显存，但是目前仅计划用在CDNA架构的加速卡上，暂时英特尔和英伟达的规划也和AMD类似。

目前，HBM系列更适合高性能计算加速卡、机器学习、人工智能等领域。

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