三星第8代 V-NAND闪存为228层堆栈技术,目标是1000+层

在万众期待的目光下，三星的第8代 V-NAND也要来了！三星方面发布消息称，三星计划将在今年下半年推出 176层堆栈生产第七代V-NAND的SSD，而最新消息称第8代V-NAND闪存为228层堆栈技术，最终目标可达1000+层！

据韩国媒体《BusinessKorea》的报道指出，8日一位三星的高层出来表示，该公司已经开发出了其第8代V-NAND闪存解决方案的测试芯片，该芯片多达200多层堆栈。而三星也将依照计划，并消费者的需求，将其推向市场。而根据三星的布局，三星旗下的第8代V-NAND闪存预计堆栈层数将多达228层。

自从闪存进入3D时代，堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高，从最初的24/32层一路堆到了现在的128层甚至176层。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层，未来还可以做到1000层。

目前全球半导体芯片产能紧张，NAND闪存本身也是牛市周期，三星准备借此机会扩大生产规模，现在韩国平泽市的存储芯片工厂已经是全球最大的，三星计划建设第二座平泽工厂。

在闪存技术上，三星的128层V-NAND闪存已经量产，2021年下半年则会量产第7代V-NAND闪存，堆栈层数提升到176层。

在“盖楼”层数上，三星实际上已经落后于美光，后者在去年底就推出了176层3D闪存，并且量产了，三星现在要奋起直追了。

而三星除了介绍第8代V-NAND闪存为228层堆栈技术之外，也介绍了第7代V-NAND闪存，其所采用的是176层堆栈生产。至于，在更上一代的第6代V-NAND闪存，则是相当于100+ 层堆栈产品。

超越美光的希望就是再下一代的第8代V-NAND闪存，堆栈层数有望超过200层，不过三星没公布具体情况，预计要到明年下半年才有可能量产。

至于未来的层数还能堆多高，早前有消息称超过500层的话就会遇到难以克服的瓶颈，是当前3D堆栈的极限了，但三星的目标是希望超过1000层，这个就需要很多技术突破了。

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