传台积电2纳米GAA进入交付研发，三星将会难上加难

台积电先进制程发展方面，目前5纳米准备积极进入量产，3纳米也将在2022年迎来投产的关键时刻，而更先进的2纳米制程也传出取得重大进展。市场估计，台积电2纳米预计在2023~2024年量产的情况下，预计将能进一步巩固全球晶圆代工龙头的地位。

日前，有消息指出，台积电2纳米制程研发，现已离开寻找路径阶段，进入交付研发，且法人预期2023 年下半即可风险性试产。

台积电在考虑成本及良率的因素下，3纳米制程延用鳍式场效电晶体（FinFET）技术，并取得全球的领导地位之后，更先进的2纳米制程预计将切入环绕闸极（GAA）技术，正式进入另一个全新的制程技术领域。

台积电去年就成立2纳米专案研发团队，在考虑成本、设备兼容、技术成熟及效能表现等多项条件下来寻找可行路径，如今台积电虽然仍没有公布细节，但已表示将会是全新架构。而据供应链消息透露，台积电2纳米即将改采全新的GAA 基础，使用多桥通道场效应晶体管（MBCFET）架构。

这是由于3纳米已达FinFET 技术的瓶颈，会出现制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，就算有EUV 技术加持，但2纳米势必要转换跑道。

根据台湾地区的报道进一步指出，台积电能在2纳米制程节点上有所突破，归功于台积电挽留了3年前即要退休的台积电最资深副总经理罗唯仁。他带领的团队为制程技术研发进行了突破，才有了当前的成果。为此，罗唯仁还为团队举行了庆功宴，以感谢团队的辛劳。

另外，因为竞争对手三星已经宣布自3纳米的制程节点开始，就采用GAA的技术，台积电的时程显然落后三星，不过市场人士指出，就之前台积电也较三星晚采用极紫外光刻设备，但在制程良率上仍领先三星的情况下，台积电采取稳扎稳打的务实性做法，于2纳米才采用GAA技术而落三星一个世代，预计还是能持续维持其优势的地位。

虽然三星提早在3纳米就打算采用GAA ，意图在此技术上弯道超车台积电，但台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术，及EUV 运用经验，将能使良率提升更顺利。

所以不少业内人士预期，若2纳米在2023年即能投产，三星就算在弯道恐怕也超不了车。就目前台积电所公布的制程推进现况来看，采用EUV 的5纳米良率已快速追上7纳米，显见台积电在良率提升上的底蕴，甚至有业界预期风险试产良率即可到9成。三星虽提前量产3纳米GAA，但在性能上未必能压过台积电，而GAA 良率上的落差可能也不会如预期般明显，且据传2纳米背后还有苹果的研发能量支持。

不过未来半导体制程将会更加竞争，不仅是三星，英特尔的SuperFin 技术也不可小觑，虽然纳米节点时程落后，但实际性能并不真的多差。早有舆论认为，台积电及三星的制程竞逐，很多只是数字游戏，而英特尔其实相对踏实，就实际晶体管密度等指标来看，新的英特尔10纳米强化版已接近台积电5纳米，是非常大的单一节点升级。

只要英特尔也敢忍痛杀价，SuperFin 仍然很有高阶制程市场的竞争力，就如同三星8纳米已打出一片市场一般，台积电虽然还占有优势，但仍不能轻敌。目前台积电已表示，未来2纳米研发生产将落脚新竹宝山，将规划建设4 个超大型晶圆厂，将成为下一轮半导体大战主力。

竞争对手三星宣布将放弃4纳米的制程，直接投入3纳米制程与台积电面对面竞争。市场人士也表示，若台积电真在2023年到2024年间量产GAA技术的2纳米制程，则三星想在3纳米制程弯道超车的状况，将会难上加难。