苹果A14芯片缩水严重，距理论值不到80％，台积电5nm工艺有猫腻？

作为业界首款量产的5nm芯片，苹果A14以及iPhone 12的到来再次刷新手机性能新高度。不过近日，半导体逆向工程与IP服务机构 ICmasters却通过研究发现，苹果A14芯片的晶体管密度跟此前台积电宣称值相去甚远，存在一定缩水的问题，矛头指向台积电5nm工艺或存在虚标。

苹果A系列处理器这些年一直处于独步江湖的高度，无论设计还是性能都是绝对的佼佼者，最新的A14当然也不例外。ICmasters近日将一颗苹果A14放在了显微镜下，并仔细观察了一番这个怪物。

通过结合官方数据对比进行比对分析，苹果A14采用台积电5nm工艺制造，集成多达118亿个晶体管，内核面积仅为88平方毫米，密度为1.34亿个晶体管/平方毫米。

作为对比，上代A13使用的是台积电7nm工艺，集成85亿个晶体管，内核面积94.48平方毫米，密度为8997万个晶体管/平方毫米。

更早的A12也是台积电7nm工艺，集成69亿个晶体管，内核面积83.27平方毫米，密度为8286万个晶体管/平方毫米。

根据台积电的宣传，5nm工艺可以做到1.713亿个晶体管/平方毫米的密度，苹果A14距离理论值差了不少，只发挥出来不到80％。

当然，这并不是说台积电5nm工艺不行，而是不同芯片有着不同的逻辑电路、缓存布局和设计，但是就实际值与理论值的对比看，这次确实低了很多，前几代可是全部超过90％，A13甚至达到了惊人的98.65％。

另外，显微观察可以清楚地看到A14里的六个CPU核心，包括两个大核心FireStorm、三个小核心IceStorm，以及四个GPU核心、16个神经引擎核心。

拆分来看，GPU核心占据11.65平方毫米，两个大核心的二级缓存用掉了9.1平方毫米的面积，四个小核心的二级缓存则只占6.44平方毫米。

另外还有一个统一系统缓存，但暂时找不到在哪里。

当然，所谓缩水或者虚标都是网友的调侃，但不得不说未来5nm工艺仍旧存在提升的空间。基本上每个等级的制程工艺都会至少存在两次大的换代，估计到了iPhone 13时候搭载的A15芯片，届时的5nm工艺将会运用的更加炉火纯青，也是5nm真正走向成熟的阶段。