国产芯片突围:中兴5G基站7nm商用,中芯国际7nm FinFET N+1工艺突破

在中兴通讯宣布5G基站7nm芯片实现商用的同一天，中芯国际第二代FinFET工艺也凑巧曝出新进展。10月11日，珠海市委机关报《珠海特区报》发布报道，IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。

原标题：中兴7nm芯片商用之际，中芯国际7nm制程“取得突破”

受此消息刺激，阴跌已久的中芯国际，今天A股和港股均大幅上涨，带动A股半导体概念纷纷飘红。

截至发稿，中芯国际A股和港股涨幅均一度接近14%，半导体设备供应商中微公司、北方华创、安集科技等涨幅也超过5%。

中芯国际港股（左）和A股股价信息

关于N+1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松去年曾透露，该工艺在功率和稳定性方面7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

所谓成功流片，中科院半导体所相关人士向观察者网介绍，就是在实验室得到性能达到指标的器件的意思。而要实现真正量产，器件的可靠性、退化机制等一些特性还需大量的数据支持和反复检验。

《珠海特区报》报道截图

“国产版7nm芯片制造取得突破”

在一篇题为《“国产芯”突围刻不容缓》的报道中，《珠海特区报》写道：“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功，不仅意味着具有自主知识产权的‘国产芯’再次打破国外垄断，同时也说明‘国产版’的7nm芯片制造技术已经得到突破。”

《珠海特区报》报道截图

事实上，流片是芯片量产前的一个必要步骤。为了测试集成电路设计是否成功，需要对芯片进行试生产，以检验电路是否具备所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地量产芯片；反之，就需要找出其中的原因，并进行相应的优化设计。

中科院半导体所相关人士告诉观察者网：“在技术交付之前，会经历一个用户试用的阶段，分不同的情况，也许流片之后几个月或者几年才能真正实现量产。”

中芯国际官网截图

就在1个月前（9月18日），中芯国际在“上证e互动”回答投资者提问时披露：“FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。”

虽然中芯国际从未证实，但外界一直猜测“N+1”就是该公司的7nm工艺。

今年2月，中芯国际联合CEO梁孟松在财报会议上首次披露，在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺提升较小。

谈到具体数据，他透露，中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市场基准性能提升应该是35%，所以该公司的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

在此之前，中芯国际曾向荷兰阿斯麦（ASML）订购一台EUV光刻机，用于下一代工艺制造，价值高达1.5亿美元，原计划在2019年初交付。但在美国政府阻扰之下，这项交易至今仍未完成。

对于外界“没有EUV光刻机就无法实现下一代工艺开发”的质疑，梁孟松提到，在当下的计划中，N+1和N+2工艺都不会使用EUV设备，等到设备就绪以后，N+2才会转而使用EUV设备。

福布斯中文网也在今年3月的报道中指出，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电路线差不多，7nm节点一共发展三种工艺，分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+。

需要注意的是，目前世界上可以量产7nm芯片的晶圆代工厂商仅台积电和三星两家，IDM厂商英特尔10nm产品刚上市不久，7nm芯片可能推迟至2023年。这意味着，中芯有望在制程上赶超英特尔。

今年二季度全球晶圆代工市场份额：台积电51.5%，三星18.8%；GlobalFoundries（格芯）7.4%，联电7.3%，中芯国际4.8%。数据来源：TrendForce

与长电科技陷合同纠纷

在官网发布的新闻中，芯动科技提到，自2019年始，该公司在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。

观察者网梳理发现，芯动科技官网还有多条与中芯国际相关的新闻。例如，荣膺中芯连续四年（2013年-2016年）最佳合作伙伴、基于中芯国际14nm工艺的多款高速接口IP研发及量产成功等。

官网截图

启信宝信息显示，芯动科技全称为“武汉芯动科技有限公司”，成立于2006年7月，注册资本1000万元；控股股东为敖继康，持股94.8%。

最初，芯动科技业务是做光通信芯片，后来转型做比特币挖矿机芯片，曾推出多款矿机芯片，一度与比特大陆、嘉楠科技、亿邦国际等矿机厂商展开竞争。在比特币矿机市场遇冷之后，该公司才开始转向其他IP和定制芯片开发。

启信宝信息截图

官网介绍：“芯动科技是中国芯片IP和芯片定制的一站式领军企业，提供全球主流代工厂（台积电/三星/格芯/中芯国际/联华电子/英特尔/上海华力/武汉新芯等），从180nm到5nm工艺全套高速混合电路IP核和ASIC定制解决方案，尤其22nm以下FinFET工艺全覆盖，是迄今为止国内唯一具备两家代工厂（台积电、三星）5nm工艺库和设计流片能力的技术提供商。”

“所有IP和产品全自主可控，支持了华为海思、中兴通讯、瑞芯微、君正、AMD、Microsoft、Amazon、Microchip、Cypress、Micron、Synaptics、Google、OnSemi等国内外知名企业数十亿颗芯片量产，连续10年中国市场份额遥遥领先。”芯动科技在自我介绍时称。

官网截图

值得注意的是，在与众多芯片公司开展合作的同时，芯动科技也曾卷入不少商业纠纷。

今年4月，芯动科技因合同履行争议，在无锡起诉封测厂商长电科技并发起索赔2500万美元。

该公司称，芯动与长电科技在2018年3月签订《委托芯片封装设计及加工合同》，后者向其提供芯片封装服务，由于封装质量不合格，造成芯片不能正常工作，给其造成来料成本损失达1415.1万美元，被长电科技暂扣的芯片及库存晶圆损失达1286.4万美元，损失共计2500万美元。

公告截图

长电科技在公告中披露，注册于萨摩亚的芯动技术公司（芯动科技的海外公司）自2017年8月起委托长电科技控股子公司星科金朋为其比特币矿机芯片提供芯片封装服务，至2018年3月底，芯动应付星科金朋封装测试服务费约800万美元，至2018年6月，应付服务费增加至1325万美元。

但随后，芯动以星科金朋封装测试的芯片质量不合格为由，拒绝支付全部服务费1325万美元。

对此，长电科技及控股子公司星科金朋暂扣了芯动公司交由星科金朋封装测试的芯片及库存晶圆。

凑巧的是，在《珠海特区报》发布中芯国际N+1工艺流片成功消息的当天，中兴通讯副总裁李晖透露，在5G无线基站、交换机等设备的主控芯片上，中兴自研的7nm芯片已实现市场商用。

值得一提的是，2018年年中，招商证券在点评中兴通讯时表示：“基站芯片自给率几乎为零，是中兴通讯在禁运事件中最为棘手的问题。”