法国SOT-MRAM芯片初创公司再获投资，被应用材料公司和ARM看好

半导体存储器领域中，随着晶体管小型化，待机功率增加，使用自旋电子技术的非易失性存储器越来越吃香。其中，根据磁体的方向显示不同电阻值并由此记录0和1的状态的磁隧道结元件（MTJ）应用正在不断发展，而STT-MRAM则是代表之一。但是STT-MRAM无法处理纳秒级至亚纳秒级的运算，并且无法替换用于CPU缓存的SRAM。因此 SOT作为弥补STT-MRAM缺点的技术逐渐发展起来。

Antaios SA(法国格勒诺布尔)，一家2017年成立的致力于自旋轨道矩(SOT)MRAM的初创公司获得了1100万美元的资金。这家自旋轨道矩(SOT)MRAM初创公司的资金由法国风险投资公司Innovacom和Sofimac Innovation，以及Applied Ventures LLC ，芯片制造设备供应商应用材料Applied Materials Inc.的风险投资部门领投。

其他融资还来自Bpifrance（法国公共投资银行）和其他银行合作伙伴。应用材料公司和ARM有限公司是MRAM技术发展的重要支持者，他们还向Spin Memory Inc.（加州弗里蒙特）投资了大量资金。

SOT-MRAM代表了自旋扭矩转移（STT）MRAM之外的进一步发展。它蕴含着成为人们期待已久的通用嵌入式非易失性存储器所需的特殊耐力循环的可能性。MRAM等基于逻辑的嵌入式存储器技术的持续发展，有望为物联网和边缘AI设备提供低功耗、高性能和高耐久性。通过同时实现高运行速度和无限的读写耐久性，SOT有可能取代微控制器、微处理器和系统级芯片设计中的嵌入式非易失性存储器和SRAM缓存。

如果SOT-MRAM可以用来取代SRAM在寄存器、倒装片、刮片存储器中非常接近逻辑电路并在逻辑电路中使用，将对处理器的设计运行方式产生重大影响。与SRAM存储器单元相比，MRAM已经具有非波动性和密度的优势，SRAM通常使用6个晶体管来实现，但它需要表现出优异的耐力循环，才能适用于逻辑电路。