Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求-电子工程专辑

 新增产品确保了Nexperia持续拥有业内广泛的GaN FET产品类型

奈梅亨，2025年3月18日：Nexperia今日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。

Nexperia此次发布的E-mode GaN FET新产品包括新型低压40 V双向器件(R_DSon<12 mΩ)，以便支持过压保护(OVP)、负载切换和低压应用，如移动设备和笔记本电脑中的电池管理系统(BMS)。此外，此次发布还推出了100 V和150 V器件(R_DSon<7mΩ)，这些器件适用于消费电子设备的同步整流(SR)电源、数据通信和电信设备中的DC-DC转换器、光伏微型逆变器、D类音频放大器，以及电动自行车、叉车和轻型电动车(LEV)中的电机控制系统。而在高压领域，新产品包括700 V器件(R_DSon>140 mΩ)（用于支持LED驱动器和功率因素校正(PFC)应用），以及650 V器件(R_DSon>350 mΩ)（适用于AC/DC转换器）。

Nexperia E-mode GaN FET技术凭借其超低的Q_G和Q_OSS值，提供了出色的开关性能。这些新器件提供了业界领先的品质因数(FOM)，因此非常适合用于高效电源解决方案。

如需进一步了解Nexperia新推出的E-mode GaN FET，请访问：nexperia.cn/gan-fets

关于Nexperia

Nexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。

Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。