GaN (GaN)公司将在 2024 年第四季度通过专利申请激增和近期收购来整合其专利组合

法国索菲亚-安提波利斯 – 2025 年 2 月 19 日 │活跃的GaN (GaN) 技术领域不断改变着半导体行业，专利活动也取得了显着进展。GaN的独特性能使其成为高性能功率和射频应用的关键材料。 最近的数据显示，支撑该领域研发工作的知识产权活动取得了重大进展。本文全面概述了GaN技术的最新趋势及突破性发明，并重点关注专利活动和知识产权策略。在 KnowMade，我们通过 GaN专利监测器密切关注此新兴领域。

要点概述

GaN技术的最新专利活动凸显出它在半导体创新中所扮演的关键角色。过去一段时间中，已发布超过 540 个新的GaN专利系列，展现出充满活力的发明贡献格局。此外，已有超过 300 个专利系列已取得授权，标志着在确保GaN创新特定知识产权方面取得进展。同时，在 2024 年最后一个季度，约有 130 项GaN相关专利被放弃或到期，其中包括 Macom 和 Wolfspeed 等射频GaN（RF GaN）主要知识产权参与者的基本专利。

7 项专利转让说明了GaN领域的所有权动态，显示关于GaN技术的战略调整。继收购功率GaN行业早期垂直GaN器件供应商的几项举措之后，于去年年初Nexgen Power Systems 的多项专利重新分配给了 onsemi，而多项专利权于 2024 年下半年从 Odyssey Semi 转移到 Power integrations。今年，富士通，GaN电子专利领域历史悠久的知识产权参与者与大多数现有GaN功率器件市场参与者的关键制造合作伙伴台积电达成了另一项交易。该交易增强了台积电在射频（RF）和功率GaN技术领域的知识产权地位。

值得注意的是，出现了 10 项知识产权合作，突显了GaN研发方面的合作努力。本季度，知识产权合作由例如美国的麻省理工学院和美国海军等领先研究组织和政府机构推动。法律环境反映出美国一起知识产权诉讼案件的结案情况，而欧洲领域没有新的专利异议。GaN行业中出现了 20 多家新公司，凸显出人们日益增长的兴趣，并对五家领先的GaN公司进行了全面的知识产权分析：Innoscience、Infineon、ROHM、TSMC 和 ST。

值得关注的新发明

在晶圆和外延晶圆领域，博世凭借其发明脱颖而出，推动了厚 GaN外延层生长的衬底技术，例如将非晶层应用于硅等传统衬底，或使用包含不同于多晶氮化铝(poly-AlN)或多晶碳化硅（Poly-SiC）的多晶基体的工程衬底，不同于信越、Soitec 和 Qromis 等公司的做法。

在器件领域，EPC 的创新型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)设计具有多层和多厚度屏障。该设计从栅极到漏极逐渐增加二维电子气 (2DEG) 密度。with GaN transistors having different threshold voltages, including d-mode and e-mode devices for example. 通过在不同厚度的屏障层上形成栅极，可以形成单片GaN功率 IC，其中GaN晶体管具有包括 d-mode和 e-mode器件等不同阈值电压。

在包装和模块领域，Denso、Mirise Technologies 和丰田汽车之间的合作旨在通过改善安装半导体封装的接线板的散热来解决基于GaN功率设备中的关键热管理挑战。总体而言，本季度的亮点是 Macom、Qorvo 和住友电工等几家领先的射频GaN（RF GaN）公司在射频GaN（RF GaN）封装和模块方面的专利活动。

电路与应用领域证实了其活动力，于2024 年第四季度期间，几家关键的功率GaN市场参与者积极在该领域申请专利。其中包括 Navitas Semiconductor，该公司披露了用于功率转换器电路的GaN功率级栅极过驱动的新电路和方法。

不断发展的营销策略：知识产权监控的意义所在

随着GaN技术日益突出，各公司正在调整其营销策略，以突出该领域的创新和合作举措。 各公司旨在利用GaN的独特优势将自己定位在半导体进步的前沿。战略合作伙伴关系和GaN专利组合的扩展提供竞争优势，这可能会在未来几年进一步促进知识产权合作和转移。 为了找出GaN 细分领域的新兴参与者和机会，各公司也在进行市场分析。此外，在半导体市场快速发展的过程中，关于新GaN发明的技术优势和应用的透明沟通可以增强信任并提升品牌声誉。通过配合这些策略，各公司寻求增强其在GaN技术领域的存在感，在快速变化的环境中发挥其变革潜力。

这正是我们的GaN专利监控服务为GaN公司展现其全部潜力之处。我们的专家重点介绍关键进展，揭示通过专利情况做出改变的公司，以便您随时了解技术生态系统。

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