CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装

2024 年 6 月 4 日，英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。

DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10 mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（R_th(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，在设计上具有灵活性。在顶部尤其是双侧冷却配置中，性能优于常用的TOLT封装。DHDFN-9-1封装采用双极引脚设计，有助于优化PCB布局和简单并联，使客户能够轻松处理高达6千瓦的应用。

BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备。BHDFN的外形尺寸为10x10 mm，虽然比常用的 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用 TOLL 封装的 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。

Nare Gabrielyan | CGD 产品市场经理：

“新型封装是我们战略的一部分，为了使客户将我们的 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用，获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN™ 产品系列的这些固有特性。” 

提高热阻性能有以下好处：第一，在相同的R_DS(on)下可以实现更多的功率输出。设备在相同功率下也能以较低的温度运行，因此需要较少的散热，从而降低了系统成本。第二，更低的工作温度也会带来更高的可靠性和更长的寿命。最后，如果应用需要更低的成本，设计者可以使用具有较高R_DS(on)的低成本产品来实现所需的功率输出。

采用新型封装的 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装产品将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD的展位号为7-643。欢迎用户莅临参观和了解这些产品。

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化，以实现能效和紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产，并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业，孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑，这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现，为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。