CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录

2024 年 5 月 30 日，英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与与中国台湾工业技术研究院（ITRI）签署了谅解备忘录，以巩固为USB-PD适配器开发高性能GaN解决方案的合作伙伴关系、并共享市场信息、实现对潜在客户的联合访问和推广。

Andrea Bricconi | CGD 首席商务官表示：“我们很高兴能与ITRI合作，ITRI拥有一个电力解决方案研究团队，在开发电力解决方案方面有着非常丰富的经验和许多专利。我们将在6月在纽伦堡举行的PCIM展会上的展示ITRI的一些电路板设计。这些产品利用CGD独特的IC芯片架构和ITRI的专利设计，实现产品尺寸缩小、高效率和功率密度以及成本竞争力。”

Wen-Tien Tsai | GEL/ITRI商用电源设计团队负责人表示：“CGD的IC增强型GaN ICeGaN™ 系列产品是一个新颖的平台，它提高了易用性，促进了智能温度控制，并提高了栅极可靠性。我们很高兴将这些优势纳入我们的、新颖的电源设计中。”

Yole集团宽禁带（WBG）领先分析师表示：GaN市场预计将超过10亿美元，主要增长领域在通信电源、汽车DC/DC转换器和车载充电器的应用方面。CGD和ITRI将合作设计市场上第一个采用GaN器件的商业化产品是USB-PD适配器。该协议涵盖了为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in³的140-240 W范围的电源解决方案。

结语

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化，以实现能效和紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产，并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业，孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑，这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现，为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。

关于绿色能源与环境研究实验室（GEL）、工业技术研究院（ITRI）

ITRI是世界领先的应用研究机构，拥有6000多名优秀员工，以科技研发带动产业发展、创造经济价值和增进社会福祉为任务。自1973年成立以来，率先投入集成电路的研发，并孕育新兴科技产业。聚焦智能生活、健康快乐、可持续环境和韧性社会四大应用领域的研发方向，并发展“智能化致能技术”并促成应用。

GEL是ITRI最大的核心实验室之一，致力于提高能源效率、电力系统、低碳环境以及环境和能源政策领域的可持续环境技术。在能源效率方面，已建立了固态照明、高效空调、智能/绿色建筑、能源管理和控制系统、智能电网等方面的卓越能力，以培养具有高增长潜力的能源和环境领域的绿色技术和人才。