中国国家知识产权局确认宜普电源转换公司氮化镓栅极半导体技术专利有效

埃尔塞贡多, 加利福尼亚州 - 2024年5月6日 - 宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）于今日宣布其名为“补偿门极MISFET及其制造方法”的专利（中国专利号ZL201080015425.X）被中国国家知识产权局确认有效，该专利广泛应用于增强型氮化镓半导体器件。

该决定于2024年4月30日作出。此前，中国国家知识产权局还曾于2024年4月2日作出决定，确认宜普公司的名为“增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利（中国专利号ZL201080015388.2）的核心权利维持有效。这两项专利的无效请求人均为英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称英诺赛科公司）。

与传统硅基功率器件相比，使用氮化镓技术的器件具有更高的效率、更快的开关速度和更小的尺寸，代表着革命性的技术飞跃。氮化镓器件被广泛应用于人工智能服务器、自动驾驶汽车、新一代快速充电器、无人机、电动自行车和仿人机器人等领域。中国专利ZL201080015425.X涉及宜普公司专有的用于减少栅极漏电的增强型氮化镓场效应晶体管（FET）的基本设计和配置。业界大多数参与者都采用了该专利所涵盖的氮化镓栅极技术。

“这两项专利是支撑我们广泛的创新成果的基础性专利的一部分，我们很高兴中国国家知识产权局再次确认了我们宝贵的知识产权的有效性”，宜普公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow博士表示：“这等快速、公正而高效的决定增强了公司全球化运营中所需要的对相关法律制度的信心。” 

2023年5月，宜普公司向美国洛杉矶联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起了诉讼，主张其基础专利组合中的相关专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司的侵犯，其中就包括前述中国专利ZL201080015425.X和ZL201080015388.2的美国同族。作为回应，英诺赛科公司针对这两项宜普公司的中国专利向中国国家知识产权局提起了无效请求。