英诺赛科全球研发中心启用仪式暨氮化镓技术论坛成功举办-电子工程专辑

 11月19-20日，英诺赛科全球研发中心启用仪式暨氮化镓技术发展论坛在苏州成功举办。

11月19-20日，英诺赛科全球研发中心启用仪式暨氮化镓技术发展论坛在苏州成功举办。

2018年6月

英诺赛科（苏州）奠基

2020年9月

英诺赛科（苏州）设备搬入

2021年6月

英诺赛科（苏州）通线量产

2023年11月

英诺赛科全球研发中心正式启用

11月20日，英诺赛科全球研发中心启用仪式在苏州汾湖高新区成功举办。研发中心将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，全面提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。这是英诺赛科的又一重大里程碑。

英诺赛科董事长骆薇薇女士在致辞中感慨：“研发中心并不是一栋普通的大楼，它承载了英诺赛科创业的初心，凝聚了英诺赛科人一路走来的坚定，它的启用时刻正是所有英诺赛科人心中梦想的绽放时刻！

当前，英诺赛科已经做到了氮化镓器件累积出货数量全球第一、市场份额全球第一、量产交付能力全球第一，未来我们也将挑战和创造更多项第一。截止2023年11月，英诺赛科已经成为全球消费类领域最大的氮化镓供应商，并正在引领氮化镓在数据中心，和汽车电子等领域的推广与合作。

11月19日下午，由英诺赛科主办的同期活动“氮化镓技术发展论坛”也在苏州知音温德姆酒店成功举办。论坛邀请了中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士Dr. Fred Lee李泽元博士，北京大学沈波教授等多位在氮化镓领域有着丰富科研经验和应用成果的专家学者与头部企业代表进行主题分享。

弗吉尼亚理工大学Dr. Fred Lee李泽元院士现场分享了题为《Is GaN a Game Changer?》的报告，在报告中，李泽元博士指出氮化镓在促进电力电子发展方面已经取得重大成果，相信在不久的将来，随着性能的提升，氮化镓将是一个颠覆行业的游戏主导者。

英诺赛科首席执行官吴金刚博士现场讲述了第三代半导体氮化镓的发展历程，展示英诺赛科氮化镓产品的优越性能、产品主要应用领域以及英诺赛科的市场进展情况，并指出了英诺赛科未来的重点发展方向。

北京大学沈波教授在会上分享了《第三代半导体技术和产业发展》报告，指出氮化镓作为后起之秀，需要国家、企业、资本等方面共同支持，推动行业发展。

论坛现场，LED电源、数据中心、服务器电源、汽车、储能领域的头部客户也分别就氮化镓的应用进行了精彩分享。

氮化镓产业的未来，寄托了很多人的期望和期许，也需要整个生态链条共同运筹帷幄，决胜千里。正如吴金刚博士所言，氮化镓对于中国当前半导体是一个历史性的机遇，是一个可以改变行业格局的机遇。英诺赛科将秉承初心，持续前行，与合作伙伴协同引领行业开启全新的时代！

END

英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品，涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类，并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量突破4亿颗。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。

英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！