英诺赛科2款 FCQFN 150V 产品打入工业应用市场

氮化镓凭借高频、高效、高功率和耐高压等特性，被称作是第三代半导体的明星材料。如今，随着氮化镓技术及供应链方面的不断成熟，成本呈现下降趋势，氮化镓在低功率消费电子领域的应用逐渐进入红海市场。同时，得益于高工作频率、高转化效率、低导通阻抗等优越特性，氮化镓在大功率高频应用中有着广阔的应用前景，目前正朝着中大功率储能、微型逆变器、通讯基站、数据中心等领域拓展。

为了推进氮化镓在高频市场中的应用，英诺赛科基于150V电压平台推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 两款中低压 GaN，该平台产品满足工业级可靠性要求，主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等。

首款产品 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封装，体积小巧，且开关损耗低，具有良好的效率表现，目前已成功量产。基于150V电压平台技术，英诺赛科近日再次强势推出 150V/7mΩ 器件 INN150FQ070A，采用  FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引脚设计，已通过小批量试产，客户可基于不同应用需求进行规格选型。

• l  工业级应用

• l  超低的栅极电荷

• l  超低导通电阻

• l  小体积，FCQFN封装 4mmx6mm

  

  l  高频DC-DC转换器

  l  太阳能系统优化器和微型逆变器

  l  PD充电器和PSU同步整流

  l  通信电源

  l  电机驱动

  INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 延续了 InnoGaN 导通电阻低、开关速度快、无反向恢复等诸多特性，在太阳能系统优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等应用中，更能充分地体现其高频高效、低导阻等优越特性。

                                                                                                             INN150FQ032A规格书首页

  

                                                                                                                 INN150FQ070A规格书首页

  英诺赛科150V Single GaN 系列推出的两款不同导通电阻FCQFN封装芯片，不仅为客户设计选型提供更多参考，且有力推进了氮化镓在工业领域的应用。

  基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代，英诺赛科的产品质量和成本优势均已在行业中得到体现。消费电子是氮化镓规模化应用的第一站，工业领域虽然渗透较低，但其需求也在逐步攀升，英诺赛科期待与合作伙伴共同推进更多领域的应用，构建氮化镓生态。

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  英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，汇集了半导体行业资深的研发与应用团队，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从15V到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超2.5亿颗。产品可广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源领域等前沿领域。 

  英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！