镓未来率先推出高功率低损耗TO-247-4L氮化镓功率器件

前瞻创新技术，行业资讯交流，全面覆盖产业机遇，2023年3月29日至30日，IIC于上海国际会议中心举办2023国际集成电路展览会暨研讨会。珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）受邀参加本届IIC展览会，并参与第25届高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛，胡宗波博士作《镓未来率先推出高功率低损耗TO-247-4L氮化镓功率器件》主题演讲。

GaN FET在高功率高效率电源转换的应用日趋普遍，图腾柱无桥PFC拓扑中GaN FET已是高频管的首选器件。图腾柱无桥PFC拓扑的高频管工作在硬开关状态，传统的3引脚TO-247-3L GaN FET开关速度快，驱动电压尖峰及震荡比较明显，开关速度受到限制，影响效率的进一步提升，同时EMI也是一个主要挑战。镓未来在业界率先推出4引脚TO-247-4L GaN FET。相较于传统TO-247-3L封装，增设开尔文源极引脚，可有效解耦功率回路和控制回路，提高GaN FET的开关速度，降低开关损耗，减小开关涟波，提高器件使用的稳定性和可靠性。同时，平面型GaN FET封装结构的可插接引脚的电气功能的设置顺序与对应的垂直型结构的Si/SiC MOSFET器件的引脚功能设置顺序相同，从而实现直接替代。

胡宗波博士介绍了镓未来35mR/650V TO-247-4L GaN FET的封装设计方法。对比35mR/650V TO-247-3L GaN FET，在硬开关桥式电路工作时，驱动波形尖峰和震荡明显改善；转换效率进一步提升，温升明显降低。镓未来TO-247-4L GaN FET继续保留了紧凑级联型氮化镓器件的核心优点，包括最可靠的栅极耐压特性、高达3.5V的阈值开通电压、更低的反向导通压降以及强大的散热能力。

镓未来已经推出35mR/650V 和 50mR/650V TO-247-4L GaN FET，聚焦数据中心、便携储能、电动汽车和工业市场等中大功率应用市场，提供高可靠性和高转换效率的系统应用及解决方案。通过多电平技术和多相交错控制技术，650V器件可以支持1000V甚至更高的工作电压，也可以支持更大的输出功率。胡宗波博士给出了一个用于VFB钒液流电池工商储能系统的经典案例，其CEC效率高达96.5%。

镓未来可提供PQFN、DFN、TOLL、TO-252等贴片封装以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封装全系列产品，为市场提供高效、节能环保的下一代功率器件，在国内率先实现全功率范围氮化镓器件的量产。

在2023年度中国IC设计成就奖颁奖典礼中，镓未来的TO-247-4L GaN FET G1N65R035TQ因其综合性能代表了650V Si/SiC MOSFET和GaN FET同类封装的行业领先水平，荣获「年度最佳功率器件/宽禁带器件」殊荣。

关于镓未来

珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。产品具有易于使用（兼容Si MOSFET驱动）、可靠性高、性能参数领先等优点，可提供PQFN、DFN、TOLL、TO-252等贴片封装以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封装全系列产品，为市场提供高效、节能环保的下一代功率器件。产品涵盖小功率（<300W）、中功率（300W~1kW）和大功率（1kW~6kW），在国内率先实现全功率范围器件的量产。重点市场包括消费电子、电动工具、数据中心、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网和工业市场。丰富的应用方案包括PD快充适配器、电动工具充电器、LED驱动电源、储能双向逆变器、电池化成电源、ICT服务器电源、算力电源、车载双向DC-DC等。

自2020年成立以来，镓未来已获专利近50项。2022年获得本土创新创业团队，广东省博士工作站，国家级“高新技术企业”，广东省“创新型中小企业”称号，广东省“专精特新”中小企业，“氮化镓器件900V系列产品”与“650V/035大功率产品”被评为省名优高新产品以及澳门BEYOND Award所颁布的消费科技创新大奖。

镓未来总部位于横琴深合区，深圳子公司聚焦应用和营销，以及上海分公司和杭州华东应用中心，为客户提供全方位的售前售后支持。镓未来以“打造和普及一流的氮化镓产品”为使命，立志为业界提供“最好用最可靠”的氮化镓产品。

镓驭功率电子未来GaN Inspires Future

欲知详情，请访问：

https://www.ganext.com