锐成芯微推出基于BCD工艺的三层光罩eFlash IP 

2023年3月2日，成都锐成芯微科技股份有限公司（简称：“锐成芯微”“Actt”）宣布，公司推出基于BCD工艺平台的LogicFlash Pro® eFlash IP产品，其特点是在BCD工艺节点上仅增加三层光罩，使得模拟芯片与控制芯片得以合二为一。

BCD+eFlash工艺平台需求日益强烈

嵌入式存储IP被广泛应用于需要存储代码程序、关键数据或其他重要信息的芯片，如智能卡，SIM卡，MCU，电源/电池管理芯片和显示驱动器芯片等。近年来，随着大数据、物联网、汽车电子等应用领域的蓬勃发展，对芯片中存储IP的可靠性、稳定性、安全性、存储容量、操作性能都提出了更高要求。

模拟芯片大多采用BCD工艺平台来实现，比如电源管理芯片、电机驱动芯片、照明驱动芯片、快充/无线充芯片、BMS电池管理系统中的模拟前端芯片等。BCD （Bipolar-CMOS-DEMOS）工艺通过集成高驱动能力的Bipolar器件、高集成度低功耗的 CMOS 器件和耐高压高频的 DEMOS 器件，实现了单片晶圆生产功率、模拟和数字信号电路。

近些年随着终端产品的智能化和小型化，模拟芯片如能和控制芯片集成在一颗芯片中，将大幅提高系统性能并节省BOM成本。比如电机驱动芯片中可以同时集成前置驱动、运放、线性稳压器和MCU控制芯片，做到四合一；再比如无线充电芯片中可以同时集成无线充/快充协议芯片，电源管理芯片，收发芯片和MCU控制芯片等。传统的MCU控制芯片一般采用eFlash工艺，需要利用平台上的非挥发存储器来存储或运行程序代码。因此，随着模拟芯片的集成度、智能化越来越高， BCD+eFlash的工艺平台需求也日益强烈。

锐成芯微推出eFlash IP ，在BCD工艺基础上只增加三层光罩

从工艺集成的角度来看，将BCD工艺中的DEMOS高压器件和eFlash做到一起并非易事。高压DEMOS器件关注的是如何减小器件的开态电阻，如何提高击穿电压；而eFlash关注的是数据保持能力，存储器读/写速度，存储单元的面积，额外光罩层次。在工艺开发时，经常遇到一个难点，这两种器件都需要增加光罩，修改工艺，这会同时影响到高压和存储器件，怎样进行权衡？

锐成芯微经过长期的技术研发，提出了创新性的eFlash器件结构，并开发了LogicFlash Pro®完整的eFlash解决方案。得益于该技术独特的实现方式，大大简化了业界流行的eFlash技术的光罩层数和工艺步骤，并且在BCD工艺上只需增加三层光罩便可实现eFlash，不仅维持了原有高压器件的高性能，也增加了具有高可靠性的eFlash，能帮助芯片企业将模拟芯片和控制芯片合二为一，有效控制整体的系统成本。

锐成芯微基于BCD工艺的eFlash IP已展现优异的测试性能和结果，包括125℃高温操作寿命大于1000小时， 125℃的高温数据保持能力超过10年，擦除写入次数大于10万次。该IP方案已被知名汽车芯片厂商采用。

锐成芯微的嵌入式存储IP，经过十多年的技术积累和迭代，已发展了包括MTP，OTP，eFlash等众多产品线，不仅在BCD工艺平台，也适用于更多逻辑工艺平台。锐成芯微持续通过差异化路线，帮助芯片厂商加速产品上市时间，迅速占领市场，得益于其在性能、良率、可靠性以及出货量方面表现突出，已广泛应用于消费类、通信类，以及工控和汽车电子等领域。