英诺赛科推出多款高性能氮化镓芯片，拓展新领域应用
时间：2023-02-16
作者：英诺赛科
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摘要：性能迭代与应用拓展，或将助力终端产品实现革命性升级
在全球“双碳”战略推动下，氮化镓材料在市场应用的优势逐渐显现，基于高频、高效、低能耗的优势，终端应用厂商对氮化镓芯片的需求也迎来了持续攀升，随着产品性能的迭代更新与应用范围的拓展，或将助力终端产品实现革命性升级。
英诺赛科是全球领先的8英寸硅基氮化镓 IDM 企业，拥有全世界最大的氮化镓生产基地，先进的研发与制造能力，配套全自动生产线与全流程质量管控体系。过去一年，英诺赛科全面增加研发投入，打造了40V、100V及150V工艺平台，以市场需求为导向，推出了众多符合市场需求的创新型产品，并成功量产，在多个终端应用场景表现出色。
下面就让我们对英诺赛科主要的几款产品进行详细阐述。
低压芯片：INN150LA070A
INN150LA070A是一颗耐压150V，导通电阻7mΩ的高电子迁移率晶体管。采用了LGA3.2x2.2mm封装技术，占板面积极小，有着零反向恢复、低栅极电荷、低导通电阻等特性，能适应-40℃~150℃的工作环镜。
基于其高频、低能耗的性能优势，可广泛应用于可广泛应用于快充、适配器、Class D 功放，电机驱动，通信模块电源。
低压芯片：INN100W032A
INN100W032A是一颗耐压100V，导通电阻3.2mΩ的增强型氮化镓芯片，连续电流60A，脉冲电流可达230A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。采用WLCSP 3.5mmx2.13mm封装，体积小巧，能够极大节省占板面积。
在同步整流、Class D功放、高频DC-DC模块电源、通信基站及电机驱动等应用场景中，能够有效地提高工作频率和效率。
低压芯片：INN040W048A
V-GaN 系列INN040W048A氮化镓芯片，耐压40V，导通电阻4.8mΩ，支持双向导通。具备无体二极管、低导通阻抗等特性，仅用1颗就能代替两颗硅MOSFET。同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装，为终端产品节省系统空间的同时，有效降低了系统能耗。
该产品也是全球首款导入手机内部的GaN芯片，目前已应用于OPPO / Realme 智能手机的主板，节省手机PCBA空间，大大降低手机温度，为用户提供了更高效的快充体验。
低压芯片：INN040LA015A
INN040LA015A耐压40V，导阻1.5mΩ，可在-40℃到150℃下工作。采用晶圆级FCLGA 5mmx4mm封装，相比传统MOS管封装体积大大缩小。具备超低的寄生电容，且无反向恢复，同时其优化的走线更加方便高频大电流布线。能够实现更高的功率密度的终端应用。
基于快充、适配器、LED驱动、TV电源、服务器电源等高功率密度、高效率的电源应用场景需求，英诺赛科推出了多个系列的高压GaN产品，目前已被广泛采用。
合封芯片：Solid GaN ISG3201
ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动器省去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数；ISG3201采用5mmx6.5mm封装，能够有效减小PCB板面积。同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制。优化的模块引脚设计显著减小主功率寄生参数以及由此引起的电压尖峰，进一步提高系统性能和可靠性。
该系列产品是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。
高压芯片：INN650DA260A
INN650DA260A是一颗耐压650V，导通电阻260mΩ的高压氮化镓芯片，能够有效降低系统能耗，2nC的栅极电荷为高频率的开关需求提供保证。该芯片采用DFN5mmx6mm封装，实现系统的小体积高效率。
INN650DA260A目前已在手机快充（安克、倍思、ASUS等产品），电动两轮车快充（雅迪），LED电源等诸多产品中得到应用，有效提升了终端品牌在市场上的竞争力。
高压芯片：INN650DA150A
采用DFN 5mmx6mm封装，符合RoHS及REACH规范的无铅产品INN650DA150A，有着极高的开关频率，极低的栅极电荷、输出电荷，保证了高频开关需求的同时，有效降低了系统能耗以及开关能耗。
该产品已在笔记本电脑适配器中得到应用，并大批量量产。如LG 的65W 笔记本电脑适配器。
基于260mΩ和150mΩ的导通电阻，英诺赛科也同步推出了采用DFN8mmx8mm封装的650V高压氮化镓芯片，满足了不同终端产品应用的需求，达到市场端良好反馈。
高压芯片：INN650D080BS
基于上一代产品迭代的INN650D080BS ，内阻仅为80mΩ，其超低的开关损耗以及零反向恢复的特性，可实现高频、小体积、高功率密度、高效率的电源转换。满足JEDEC的工业级应用标准，且拥有较高的ESD防护等级。
该产品目前在国内工业市场已大批量使用，且多项国际合作项目也在同步进行，如比利时鲁汶大学/EnergieVille 正在用这款产品开发1KW 以上的400V双桥（DAB）转换器；同时，瑞士伯尔尼高等专业学院（BFH）研究所也正在用INN650D080BS开发11KW/850V多电平转换器项目。
高压芯片：INN650TA030AH
INN650TA030AH是英诺赛科全新推出的采用TOLL封装的氮化镓芯片，耐压650V，导通电阻30 mΩ，具备超高开关频率和无反向恢复电荷、低输出电荷等特性符合JEDEC标准，RoHS及REACH规范。该产品在AC-DC转换器，DC-DC转换器，图腾柱PFC，快充及其他高功率密度、高效率转换应用中表现极佳。
高压芯片：INN700DC140A
最新推出的耐压700V，导通电阻140mΩ的高压氮化镓芯片INN700DC140A，采用DFN5mm x6mm双平面无引线封装。具备高开关频率、无反向恢复电荷、低输出电荷等功能，符合JEDEC标准。该产品在AC-DC变换器、DC-DC变换器、快速充电等应用中实现高功率密度和高效率功率转换。
700V系列产品还包括240mΩ/350 mΩ，同样采用DFN5mm x6mm封装，能够满足终端应用对不同产品规格的需求。
第三代半导体依靠其自身的材料属性优势，已经逐渐成为“绿色能源革命”的关键支撑。期待英诺赛科继续为客户提供更高效率、更低能耗、更符合市场需求的产品。
上表为截止英诺赛科已进入量产阶段的产品，想了解更多产品详情，可以登录英诺赛科官网：www.innoscience.com 或关注英诺赛科官方公众号联系。
