意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术

12月8日，意法半导体和半导体材料设计制造公司Soitec宣布了下一阶段的碳化硅 (SiC)衬底合作计划，由意法半导体在今后18 个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试。此次合作的目标是意法半导体采用 Soitec 的 SmartSiC™ 技术制造未来的8寸碳化硅衬底，促进公司的碳化硅器件和模块制造业务，并在中期实现量产。

意法半导体汽车和分立器件产品部总裁 Marco Monti表示：“汽车和工业客户正在加快推进系统和产品的电动化，升级到8寸 SiC 晶圆将为他们带来巨大好处，因为产品产量提高对于推动规模经济非常重要。ST选择了一种垂直整合的制造模式，从高质量的衬底，到大规模的前工序制造和后工序封测，在整个制造链中充分利用我们多年积累的专业技术专长。我们希望通过与 Soitec 技术的合作，不断提高良率和质量。”

“随着电动汽车的到来，汽车行业正面临巨变。Soitec通过尖端的 SmartSiC™ 技术，将独特的 SmartCut™ 工艺用于碳化硅半导体材料，将在推进电动汽车普及方面发挥关键作用。” Soitec 首席运营官 Bernard Aspar 表示：“将Soitec 的 SmartSiC™ 衬底与ST行业率先的碳化硅技术和专长整合，将改变汽车芯片制造的游戏规则，并树立新的标准。”

碳化硅 (SiC) 是一种颠覆性的化合物半导体材料，在电动汽车和工业制程领域重要的高增长功率应用中，碳化硅材料的固有性质令碳化硅器件的性能和能效优于硅基半导体。碳化硅可以实现更高效的电源转换、更紧凑的轻量化设计，并节省整体系统设计成本——所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和要素。从 6寸 晶圆升级到 8寸 晶圆，可以使制造集成电路的可用面积增加几乎一倍，每个晶圆上的有效出片量达到升级前的1.8-1.9 倍，因此大幅增加产能。

SmartSiC™ 是 Soitec 的专有技术，基于Soitec 专有的 SmartCut™ 技术，从高质量碳化硅供体晶圆上切下一个薄层，将其粘合到待处理的低电阻多晶硅晶圆片表面。如此加工后的衬底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可以多次重复使用，因此可以大幅降低供体加工的总能耗。