新一代 P 沟道 JPFET 搭配先进 PDFN 封装成就国际领先性能
时间：2022-07-07
作者：捷捷微
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1、搭配先进 PDFN3x3-8L 及 PDFN5x6-8L 薄型封装，比传统 SOP-8L 及DPAK 封装，面积缩小64%及48%，高度降低45%及55%，极为适合紧凑型终端设计。
2、PDFN5x6-8L 的引脚具低应力且长达 0.275mm，极大程度地改善自动光学检测 (AOI) 印刷电路板组装 (PCBA) 的焊点良率，进一步保证终端的稳定工作和长期可靠性。
3、100V P沟道 MOSFET 的驱动电路相比 N 沟道 MOSFET 更加简单，满足了超性能运算 (HPC) 、工业5.0 (IE) 、车载电子 (Autonomous Driving System, ADS) 市场的「高端负载、防反接电路、电池反向保护、DC 电机驱动、DC-DC降压转换的高边开关」等应用对系统长期稳定运作，狭窄应用空间、及减少电路关键故障点的高需求。
新一代 P 沟道 JPFET® 性能达国际领先水平，主要电气参数如 RDS(ON)_Typ 和 FOM 均优于国际一线半导体 IDM 同类产品。其中 JMPL1050AU 采用薄小型 PDFN3x3-8L 封装，在 VGS＝10V 条件下, 器件的 RDS(ON)_Typ 及 FOM 测量值分别低达 38mΩ / 760，均为国际领先水平。此外，一流的线性模式 / 安全工作区 (SOA) 特性，使器件在大电流的工作状态下，仍能实现安全可靠的运作。极低的导通电阻有助于提高运行效能，降低系统成本，并延长器件的使用寿命。
捷捷微电 功率MOSFET市场总监 樊君表示：
「新一代的P沟道 JPFET 系列，提供插件式和新型贴片式两类高质量封装，完美满足客户在40 ~ 72V 等工作电压的应用。在占空比少于 30% 的DC-DC 降压转换中，JMPL1050AU 应该是当下业界在高电能转换效率、简单驱动电路、PCBA、长期安全可靠性各方面考量下，最好的选择之一。捷捷微电将持续开发多个耐压范围、性能优越的P 沟道 SGT MOSFETs，以满足新能源、超性能运算和车载电子等终端对功率器件的需求。」
欲了解更多有关最新 P-ch SGT MOSFET 的详细信息，请扫码查看或浏览捷捷微电官方网站 www.jjwdz.com。
江苏捷捷微电子股份有限公司创建于 1995 年，是集芯片研发、芯片制造、封测和销售为一体的江苏省高新技术企业。主导产品为单、双向可控硅、MOSFET (SGT、沟槽、平面、超结等工艺)、低结电容 ESD、TVS、低结电容放电管等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管。捷捷微电是国内领先的高品质功率半导体器件 IDM，晶闸管龙头企业。在启东、南通、无锡和上海拥有四大研发中心；江苏启东、南通两大制造基地更是全力打造「制造优越」和「本土化自主化」。公司先后通过 ISO 9001:2008 和 IATF 16949质量管理体系、ISO 14001:2004 环境管理体系、OHSAS 18001 职业健康安全体系、QC 080000有害物质过程管理体系认证。
