广告

平创半导体与CISSOID共建高功率密度和高温应用中心

2022-10-18 综合报道 阅读:
第三代宽禁带半导体(如碳化硅)已日趋成熟和大规模商业化,并且在几乎所有电力电子领域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于体硅的功率器件。这些超越传统体硅IGBT能力的电力电子应用的重要性体现在两个主要方面:其一,在高功率密度应用中,功率器件本身的发热所导致的温升,使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要;其二……

比利时蒙-圣吉贝尔和中国重庆 – 2022年10月17日 – 提供基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的耐高温、长寿命、高效率、紧凑型驱动电路和智能功率模块解决方案的领先供应商CISSOID S. A.(CISSOID),与第三代功率半导体技术领域先进的芯片设计、器件研发、模块制造及系统应用创新解决方案提供商重庆平创半导体研究院有限责任公司,今日共同宣布:双方已建立战略合作伙伴关系,将针对碳化硅等第三代功率半导体的应用共同开展研发项目,使碳化硅功率器件的优良性能能够在航空航天、数字能源、新能源汽车、智能电网、轨道交通、5G通信、节能环保等领域得以充分发挥,并提供优质的高功率密度和高温应用系统解决方案。

第三代宽禁带半导体(如碳化硅)已日趋成熟和大规模商业化,并且在几乎所有电力电子领域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于体硅的功率器件,从而进入电动汽车、轨道交通、船舶、太阳能、风能、电网及储能等等应用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率;更为重要的进步,将是充分发挥碳化硅的性能优势,从而能够实现原本体硅IGBT难以实现或根本不能做到的应用,为系统应用设计者提供全新的拓展空间。

这些超越传统体硅IGBT能力的电力电子应用的重要性体现在两个主要方面:其一,在高功率密度应用中,功率器件本身的发热所导致的温升,使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要;其二,由于受应用环境和成本的影响,许多高温环境应用通常是没有液冷条件的,这样就更加考验器件本身的耐温能力及其高温工作寿命。因此,高温半导体技术对于第三代宽禁带半导体技术的广泛应用至关重要。

重庆平创半导体研究院有限责任公司(Chongqing Pingchuang Institute of Semiconductors Co, Ltd.,以下简称平创半导体)致力于开发新的功率半导体技术,尤其是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体技术,公司具有很强的功率芯片/功率IC/功率器件设计研发能力,以及完善的功率模块研发和生产体系,并针对电力电子行业提供完整的功率系统解决方案。

CISSOID公司来自比利时,是高温半导体解决方案的头部厂商,专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品与定制解决方案。此次两家公司开展合作将有助于发挥双方的优势,为中国的电力电子应用领域提供先进的高功率密度和高温产品及解决方案。

“高功率密度和高温应用一直是电力电子行业的重大挑战,也是重要的发展方向之一。”,平创半导体总经理陈显平博士表示,“碳化硅功率器件在高功率密度和高温应用时必须配备与其耐高温等级相当的驱动芯片和电路,而CISSOID公司的高温‘绝缘层上硅(Silicon On Insulator,SOI)’器件恰好堪当此任。SiC功率器件固有的耐高温性能与高温SOI集成电路是非常理想的搭配,可以充分发挥SiC功率器件的性能。我们非常荣幸与CISSOID公司开展深入合作,共同开发先进的高功率密度和高温产品和解决方案。”

“我们非常荣幸与平创半导体公司开展深入合作,他们所具有的极强功率器件设计能力和完善的功率模块研发和生产体系给我们留下了很深刻的印象。”CISSOID首席技术官Pierre Delette先生表示,“我们与平创半导体的紧密合作将致力于开发出新型封装设计,使碳化硅功率器件与耐高温SOI驱动电路更加紧密结合,尽可能减小寄生电感,以求将碳化硅器件的性能发挥到极致,并使整体方案更加精巧,便于高密度紧凑安装,为各个电力电子领域提供高温和高功率密度应用产品和解决方案。”

图1 法国技术市场趋势调查公司YOLE对功率器件结温的预测

Yole Development的市场调查报告(图1)表明,自硅基功率半导体器件诞生以来,应用的需求一直推动着结温的升高,目前已达到150℃。随着诸如SiC等第三代宽禁带半导体器件的出现、已日趋成熟并且全面商业化普及,其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。

借助于SiC的独特耐高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局,并大力推动高功率密度和高温应用的发展。这些典型的和正在兴起的高温、高功率密度应用正在广泛进入我们的生活,其中包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝,以及其他各种液体冷却受到严重限制的电力电子应用。

2022年11月10-11日,AspenCore将在深圳大中华交易中心举办"IIC Shenzhen - 2022国际集成电路展览会暨研讨会",同期举办的“第24届高效电源管理及功率器件论坛”将邀请纳芯微电子、大瞬科技、英诺赛科等优秀功率半导体厂商的技术专家出席演讲,与观众们交流和分享行业趋势及最新技术。欢迎报名参加

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣的文章
  • 英飞凌全球最大8英寸SiC工厂启动运营,竞争门槛再度升级 英飞凌日前宣布其位于马来西亚的新晶圆厂一期项目正式启动运营,将重点生产碳化硅功率半导体,并涵盖氮化镓外延的生产。二期项目建成投产后,有望成为全球规模最大且最高效的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。
  • 通过集成门控电路的PMSM电机改善电动汽车的行驶工况 将PMSM电机与多电平逆变器和门控电路集成可显著改善电动汽车的行驶工况性能。多电平逆变器和门控电路具有多种优势,包括提高效率、降低EMI和改善电能质量。
  • GaN行业“诸神乱斗”,罗姆如何找到自己的天空? “成功地将栅极-源极额定电压从普通GaN产品的6V提高到8V,提升了GaN器件电源电路的设计裕度和可靠性”,是罗姆GaN产品的独特优势之一。同时,罗姆结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势,开发出了集功率半导体—GaN HEMT和模拟半导体—栅极驱动器于一体的Power Stage IC,使得GaN器件轻松实现安装。
  • 均衡电流,实现车规智能驱动器的最佳性能 智能驱动器在管理和分配汽车电池包到各种组件(ECU、电机、车灯、传感器等)方面发挥着关键作用,这些多通道驱动器同时控制不同的电气负载,例如,电阻式执行器、电感式执行器和电容式执行器。所有通道的电流都保持均衡对于驱动器正常运行并确保车辆正常且高效地运行至关重要。
  • 高功率SiC MOSFET的温控设计分析 如今,功率电子设备不仅要求满足电气性能,还要求严格控制系统的热行为。功率电路设计的一个特殊挑战,就是必须在确保结温受控的同时,不超过MOSFET的SOA。结温可以被认为是半导体的实际温度,然而,在元器件表面测量的结温却会略低一些,这是由于设备外壳的热阻妨碍了热量的流通。相对于环境温度,温度升高表明一个事实,即存在将能量转化为热量的源。
  • 产品创新提升系统价值,安森美三年转型走出“制胜之道” 智能电源和智能感知技术,是承载安森美“筑造可持续生态系统”重任的两座基石。在总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury看来,安森美“可持续生态系统”的一端是包含电动汽车、ADAS、先进安全的汽车市场,另一端则是包含能源基础设施、充电站、工业自动化、5G和云电源在内的工业市场,两者间通过数据实现连接,以获得更智能的洞察和更高效的效率。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告
    广告
    向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了