广告

Soitec荣获联华电子公司(UMC)“杰出合作伙伴”奖

2021-11-16 Soitec 阅读:
自 2013 年起,Soitec 与联电建立了长期的合作关系,为联电在新加坡和台湾的代工厂提供高端 200mm 和 300mm 优化衬底,用于生产微芯片,赋能手机及通信行业。

2021  11  1北京——设计和生产创新性半导体材料企业法国 Soitec 半导体公司今日宣布荣获世界先进半导体代工厂联华电子公司(UMC,以下简称“联电”)颁发的“杰出合作伙伴”奖。

凭借一直以来对 RF-SOI 晶圆卓越品质和性能的追求,以及在产品性能、产量、技术优化和客户服务方面的优越表现,Soitec 从 1,000 余家参选企业中脱颖而出,斩获此项殊荣。 

自 2013 年起,Soitec 与联电建立了长期的合作关系,为联电在新加坡和台湾的代工厂提供高端 200mm 和 300mm 优化衬底,用于生产微芯片,赋能手机及通信行业。 

Soitec 首席运营官 Bernard Aspar 表示:“我们非常荣幸获得这份殊荣,这也是对 Soitec 长期以来不懈追求卓越品质优越性能的认可凭借独特的技术专长,Soitec 一直引领和驱动着半导体行业的创新,提供差异化的解决方案独特的附加价值,满足日益增长的市场需求。在推动可持续发展方面,Soitec与联电拥有共同目标,未来我们将密切携手,探索创新的方法,借助高能效的优化衬底赋能当下及未来的智能手机和智能设备。

Soitec 首席运营官 Bernard Aspar 补充道:次获奖进一步加强了 Soitec 与联电的伙伴关系,我们的长期合作留下了浓墨重彩的一笔。与联电的合作是我们与客户及其整个生态保持密切关系例子之一,同时展现了我们的长期略——持续孵化创新采取综合性的进入市场(Go-to-Market策略 

责编:Luffy Liu

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣的文章
  • GaN与SiC:两种流行宽禁带功率半导体对比 碳化硅(SiC)衬底已在电动汽车和一些工业应用中确立了自己的地位。然而,近来氮化镓(GaN)已成为许多重叠应用的有力选择。了解这两种衬底在大功率电路中的主要区别及其各自的制造考虑因素,或许能为这两种流行的复合半导体的未来带来启示。
  • 欧洲氮化镓半导体厂商BelGaN申请破产,已获得多项竞标  氮化镓半导体市场正在快速发展,预计到2030年将在半导体市场中占据主导地位。然而,氮化镓技术的成熟度推进缓慢,成本与技术仍是关键突破点。尽管BelGaN在氮化镓技术上取得了显著进展,但由于需要大量投资以支持转型,公司在寻找额外投资时未能成功,最终导致破产。
  • 金刚石突破引领高性能电子产品的未来 金刚石以其优异的性能而闻名,长期以来一直有望应用于各种领域,但其作为半导体的潜力却一直面临着商业化的障碍。Advent Diamond公司在解决关键技术难题方面取得了长足进步,特别是制造出了掺磷的单晶金刚石,从而形成了n型层。
  • 能量采集和电机控制是可持续未来的希望 能量采集是低功耗电子设备供电技术发展的基本支柱,为实现对环境影响最小的可持续技术的未来铺平了道路。
  • 中国科学院开发出面向新型芯片的绝缘材料,助力突破物理极限 人造蓝宝石绝缘材料在阻止电流泄漏方面的机理主要归因于其独特的单晶结构和高电子迁移率。这种材料的单晶结构确保了电子在传输过程中的稳定性,即使在仅有1纳米厚度的情况下,依然能够有效阻止电流的泄漏。
  • 仅OTS内存为下一代计算带来希望 几十年来,半导体行业一直在寻找替代内存技术,以填补传统高性能计算系统架构中DRAM(计算系统的主内存)和NAND闪存(系统的存储介质)之间的空白。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告
    广告
    向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了