以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代宽带隙半导体器件，具有高击穿电压、高切换速度、高热传导率等特点，满足了新能源、汽车电子、电力、通讯等产业对高温高压、高功率、高频率开关器件的新要求，应用潜力巨大。本专题一方面将讨论典型高电压/大电流工作条件下大功率器件的发展趋势及测试挑战，同时会详细介绍是德科技在第三代功率半导体器件动/静态参数测试的全面解决方案。半导体技术飞速发展，从半导体材料研究到高性能芯片制造以及前沿科研领域，对半导体参数的精密测试需求都极为迫切。本专题首先向大家介绍了半导体参数测试的常见应用场景，随后将着重讨论是德科技在半导体参数测试领域中的全面解决方案及各自特点；最后通过对主流产品中精密IV/CV模块及脉冲模块的介绍，教大家如何选择不同模块组合的配置应用已满足不同测试场景的要求。