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APT的100V MOSFET模块适用于高频下工作

2005-12-07 阅读:
Advanced Power Technology公司推出的100V MOSFET模块,采用SP3、SP4和SP6封装,具有单开关、升压、降压、双共源极、相脚(phase leg)、全桥、不对称桥、双升压及双降压配置。

Advanced Power Technology Europe(APT)公司近日推出100V MOSFET模块,采用SP3、SP4和SP6封装,该模块可提供单开关、升压、降压、双共源极、相脚(phase leg)、全桥、不对称桥、双升压及双降压配置,80℃下额定电流范围在50A至600A之间。

SP3封装的厚度为12mm;SP4和SP6封装的厚度为17mm,该产品具有极小的寄生电阻和电感,适用于高频下工作,由于采用了PowerMOS V FREDFET,工作在几十kHz的硬开关模式下无需串联或并联二极管。所有模块都具有很低的热阻,在给定的RDS(on)开关电阻下具有大电流性能。

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