基于1.75微米像素设计技术的新型CMOS图像传感器

不久前在3GSM世界大会上，美光科技(Micron Technology)发布了多种移动应用解决方案。该公司推出了一种用于照相手机的新型CMOS图像传感器，以及基于78nm工艺技术的1Gb移动DRAM。除了独立的存储器产品之外，该公司还利用新型的多芯片封装(MCP)技术将1Gb移动DRAM与NAND闪存结合在一起。

在传感器方面，美光科技发布了基于1.75微米像素设计技术的新型CMOS图像传感器，具有130万、300万和500万像素三种规格，先前该公司提供了2.2微米像素方案。

美光科技成像事业部策略与企划总监Sandor Barna介绍，这些CMOS图像传感器面向小尺寸照相手机，“通过1.75微米像素设计，将会获得更好的照相手机分辨率。”他表示。

单芯片相机

新产品结合了公司先前推出的800万像素图像传感器，并基于1.75微米像素设计技术开发，该产品计划用于独立式数码相机。

130万像素图像传感器(MT9M113)是全集成的单芯片照相机系统，为1/11英寸超小型规格。该传感器能拍摄30fps的VGA视频。300万像素图像传感器(MT9T013)为1/4英寸标准照相手机规格，也能拍摄30fps的VGA视频。而500万像素图像传感器(MT9P012)为1/3.2英寸规格，能拍摄720p 60fps和1080p 30fps的高清视频。

美光科技表示，计划2007年第二季度向一般客户交付500万和300万像素图像传感器样品，预计2007年第一季度末交付130万像素图像传感器样品。2007年夏季有望量产。

多功能手机

美光科技发布的1Gb移动DRAM内存芯片面向具有多媒体和计算功能的高端移动电话，该产品与美光针对主流台式机市场的1Gb DDR1一样是基于78nm工艺。不过，新产品适于低功耗应用，美光科技的营销总监Bill Lauer表示：“该产品最大的市场是手机市场。”

此类移动DRAM产品的特色在于采用了美光科技的Endur-IC技术，该技术利用了适于低功耗应用的先进堆叠工艺。

美光针对台式应用的DRAM产品工作电压为2.5V和3.3V。相比之下，新型DDR1的工作电压可达到1.8V，Lauer表示，“将来我们会推出用于移动市场的DDR2产品。”

除了提供独立的DRAM器件，美光科技还将DRAM与1Gb、2Gb和4Gb的NAND闪存捆绑起来。这种捆绑式MCP器件由两个堆叠裸片组成，能够为移动电话应用节省更多的空间，Lauer指出。

据悉，美光科技的1Gb移动DRAM有望今年第三季度开始量产。此外，该公司还将在第二季度交付带有1Gb NAND MCP的1Gb移动DRAM样品，并于今年夏季交付2Gb和4Gb NAND MCP样品。

作者：马立得