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半导体技术捷报:用计算机模拟铪栅极材料获进展

2007-03-02 阅读:
IBM苏黎士研究实验室的研究人员在《物理评论快报》上宣布,他们已经采用了计算机模拟方法来研究硅酸铪的介电常数,并取得了进展。

IBM苏黎士研究实验室的研究人员在《物理评论快报》上宣布,他们已经采用了计算机模拟方法来研究硅酸铪的介电常数,并取得了进展。

铪、氧和硅复杂的分层结构都被用来将栅极与先进半导体中的半导体通道隔离开来。IBM也计划在2008年将此技术加入到它的产品中。但是,铪材料介电常数的不稳定性提醒工程师们,对于该材料的了解还有待改进,而且它的到来还有可能产生无法预料的结果。

为了这份名为“硅酸铪介电常数的不稳定性:第一原理研究”的报告,IBM的研究团队采用了50种不同的硅酸铪来模拟各种材料的成分结构,这种硅酸铪材料是由硅和铪氧化而成的。

这些硅酸铪包括了多达600个原子以及大约5000个电子,和一个真实系统相差无几。在苏黎士实验室里安装的双机架Blue Gene/L超级计算机上,一次介电常数的计算在短短五个计算日之内就完成了。

如果要模拟全部50种模式,Blue Gene超级计算机需要大概250天,而这些工作如果交给普通的台式电脑,则至少需要700年。

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