奇梦达联手南亚科技，共同打造75纳米DRAM技术平台

奇梦达公司和南亚科技公司日前共同宣布已成功获得75纳米DRAM沟槽式(Trench)技术验证，第一个75纳米产品为512Mb DDR2内存芯片。该新技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden)和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。目前已在奇梦达位于德累斯顿厂开始试产。

负责奇梦达市场和运作兼管理委员会的委员赛佛(Thomas Seifert)表示：“在取得75纳米DRAM沟槽式技术能力并推出第一项相关产品后，在技术布局上，我们已达到一个重要的里程碑。该75纳米技术平台能够满足即将出现的各种高速接口所需的性能要求，例如在DDR3或绘图产品方面的应用。”

南亚科技公司全球业务营销副总兼发言人白培霖表示：“该产品所采用的新技术，最小尺寸已达到目前最先进最微小的70纳米，将可获得更高的效能和密度，例如1Gb/2Gb DRAM，成本更具有竞争力。”

采用75纳米技术的合格产品512Mb DDR2能够满足JEDEC定义的最高DDR2速度的性能要求，使用于高阶服务器和各种运算应用中，并展现出公司在75纳米上的技术能力，可应用在未来的高速DRAM产品上。75纳米技术的推出，不仅对下一代性能需求非常重要，也可进一步改善奇梦达和南亚的成本架构。和之前的90纳米技术相比较，75纳米工艺架构也可进一步缩小芯片尺寸，因此，每一片晶圆将会多增加40%的产出。