DRIE前程似锦，STS倾力打造300mm晶圆工艺的离子源

等离子蚀刻系统开发商表面技术系统有限公司(Surface Technology Systems plc，STS)近日宣布计划建设适合于300mm直径晶圆的深度反应离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etch，DRIE)系统。

该公司表示，把该工艺技术拓展为主流制造技术的原因在于，DRIE在贯穿晶圆互连(through-wafer interconnect)中是有发展前景的应用。该公司因而决定开发一种适合于300mm晶圆工艺的离子源。

DRIE工艺由汽车元器件供应商罗伯特博世有限公司发明，并在博世的微机电系统(MEMS)的制造中获得应用达10年之久。据悉，博世公司已经在2005年订购了一套用于研发目的的Pegasus DRIE系统。

随着2005年针对150mm和200mm直径晶圆的Pegasus系统的发布，STS证明了比其它传统DRIE系统更高的硅蚀刻率，从而开辟了在薄晶圆或芯片堆叠应用中采用贯穿晶圆互连的可能性。STS指出，贯穿晶圆通孔的优点在于：可以减小裸片的占位面积；产生比线邦更短的互连；可以在裸片内定位，而不是仅仅在边缘定位。

STS首席技术官Leslie Lea表示：“虽然我们在MEMS行业的客户仍然主要侧重于加工150mm或200mm晶圆，但是，绝大多数主流半导体制造商已经转向采用300mm晶圆来减少其裸片的成本，开发满足这些客户需要的蚀颗工具的决定表明，STS将为采用300mm晶圆的客户提供最前沿的解决方案。”

STS首席执行官John Saunders指出：“如果我们要在主流领域内完全发掘我们在硅蚀刻中技术领先潜力的话，新的300mm等离子源是有待提供的关键功能。”