Epion nFusion掺杂系统效能显著提升，可以增加晶圆吞吐量

气体团簇离子束(Gas Cluster lon Beam，GCIB)开发商Epion宣布，该公司nFusion掺杂系统产生的离子束在效能方面有显著提高。最近在法国马赛举行的离子注入技术会议上，Epion提出的一份论文指出其离子束的质量传输能力有了极大提高，这可以增加晶圆的吞吐量，并使掺杂处于表面很浅的位置。这种能力的应用包括DRAM制造中用于超浅接合和双闸多晶硅应用的硼掺杂和用于信道工程的锗掺杂。

使用nFusion系统，Epion能够以等效180mA的束电流产生能量极低的离子束。与传统离子注入相比它取得了10倍以上的改进，非常适合低能量注入。透过这种改进可以高吞吐量实现非常高的掺杂剂量，同时仍距表面很浅，从而在保持高质量的情况下增加生产效率。对退火后的掺杂成品率的分析表明，所有掺杂剂都留在硅中，没有任何掺杂剂由于晶圆清洗或外扩散而失去。这种技术仅以几瓦的束能产生了非常高的等效束电流，这一点对于避免光致抗蚀剂过热非常重要。

CGIB是一种室温加工技术，其独特功能是能够剧烈改变晶圆表面上原子的顶端几层。这样就能完成奈米级的表面化学以解决尖端的晶圆掺杂和沉积问题。nFusion GCIB300系统的应用包括使用含硼团簇来制造超浅接合(USJ)，使用硼锗(B-Ge)团簇来增强浅接合，或淀积高质量的硅锗或锗层。nFusion掺杂系统能够形成半导体产业的32和22纳米技术节点需要的“盒状”掺杂分布图，表现出陡峭剖面而且没有能量污染。这是以高吞吐量完成的，完全不同于传统离子注入的效能。

nFusion掺杂系统的技术规格包括8和12吋晶圆兼容性、>95%的可用性、均匀度误差<1%以及每平方厘米的总金属污染<5x1010。系统成本低于传统的高电流离子注入器，占地面积大约是后者的一半。