台积电协助川崎微电子以90nm嵌入式工艺量产DTV芯片

川崎微电子(K-micro)与台积电(TSMC)共同宣布，川崎微电子成功推出其使用台积电90纳米嵌入式DRAM工艺量产的数字电视(digital television，DTV)芯片。川崎微电子推出新系列客户订制特殊应用芯片(ASIC)，系针对市场有愈来愈多对于高效能、具备成本竞争优势、低耗电并具备高内存总线量的单芯片需求。

台积电全球业务暨服务资深副总经理金联舫表示，川崎微电子采用台积电90纳米嵌入式DRAM工艺成功量产其数字电视芯片，代表台积电已克服了嵌入式DRAM工艺传统的挑战，例如pass gate leakage、cell capacitance以及stacked contact等。台积电是自2006年第一季即开始使用90纳米嵌入式DRAM工艺为客户量产，此一工艺除了具备工艺步骤较少的优势之外，在宏(Marco)尺寸上更具竞争力，而且工艺稳定性高。

台积电90纳米嵌入式DRAM工艺系以金氧互补半导体(CMOS)逻辑工艺为基础，整合一个外加式(Add-on)内存模块，能够省下外部DRAM与组件间接口的输入/输出电力，并具备较宽的总线以及较低的材料成本等竞争优势。

与SRAM工艺相较，此一工艺的操作及待机耗电量更低，其宏尺寸也缩小了60%。此一工艺相当适合用于生产需要高总线量的系统单芯片的数字电视及游戏机等芯片，以及低耗电需求的手持式及小尺寸的消费电子等芯片。