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IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有纠错(ECC)功能的异步静态随机存储器(Async SRAM),该器件内置独立的ECC单元,极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,其功耗、读写速度均处于业界领先水平。
带有ECC纠错功能的SRAM可以在芯片内部侦测并纠正数据错误,最大限度地提高了数据的可靠性。相较于传统ECC电路设计方法,该器件所有校验及纠错动作在片内完成,无需另外的错误校正芯片,从而简化了硬件线路及软件算法设计,同时节省电路板空间。该器件可满足不同应用对数据完整性的严苛要求,广泛适用于汽车,医疗,工控及通讯领域。
产品主要特性:
●每一字节都带有独立的纠错单元;
●纠错单元可以侦测到数据错误,并且为每一字节纠正一比特的错误, 大幅度降低SER, 提升可靠性;
●可直接替代现有的无ECC功能的标准SRAM器件,客户不必更改原有的电路板设计即可使用以提高系统可靠性。
●最快存取时间可达到8ns
●温度范围可达-40℃到+125℃
芯成半导体可提供该器件工业级和车规中的最高等级A3级的产品,根据不同位宽和容量可提供TSOP、SOJ和BGA封装。目前,这一系列产品已销往北美、欧洲、中国、日本、韩国等地区, 获得客户一致好评。