中芯国际28nm HKMG工艺成功流片，联芯抢得头啖汤

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中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际/SMIC)2月16日宣布，28nm HKMG(高介电常数金属闸极)工艺已经成功流片。

中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nm PolySiON(多晶硅)、28nm HKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的PolySiON工艺相比，HKMG技术可有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。

与此同时联芯科技宣布将基于中芯国际28nm HKMG工艺打造新的智能手机SoC芯片，包括移动处理器和基带，CPU主频达1.6GHz，目前已通过验证，准备进入量产阶段。

此外，中芯国际还将持续进行28nm技术平台的开发及改善，预计2016年底推出基于HKMG工艺的紧凑加强型版本。

中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云表示，“很高兴能与联芯科技在28纳米HKMG平台进行合作，共同打造先进的智能手机SoC芯片。继采用中芯国际28纳米PolySiON制程的芯片加载主流智能手机后，我们的28纳米HKMG工艺也获得了终端客户的认可，商用在即。我们还将持续进行28纳米技术平台的开发及改善，预计将在2016年底推出基于HKMG工艺的紧凑加强型版本，为客户提供更多优化的工艺选择。”

联芯科技总经理钱国良表示，“联芯科技始终致力于3G/4G移动互联网终端核心技术的研发与应用，并坚持与产业链合作伙伴一起紧密协作，打造品质一流的芯片产品。此次与中芯国际在28纳米HKMG领域的合作，可谓产业协同，强强联合，将有力地推动国产芯片技术的发展。同时，此举将直接帮助联芯科技的芯片产品进一步提升性价比，服务于智能手机、智能汽车，以及机器人等领域，服务‘中国制造2025’。未来，我们还将与中芯国际继续强化合作，在更先进的技术节点上共同开发高性能的芯片产品。”

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