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根据法国Soitec SA旗下《Advanced Substrate News》期刊报导，三星(Samsung)正为意法半导体(STMicroelectronics；ST)投产28nm全耗尽型绝缘体上覆硅 (FDSOI)晶片，而且还有其他客户也正排队等候中。ST是该技术的开发公司。
该报导中还访问了三星代工业务资深行销总监Kelvin Low以及三星半导体(欧洲公司) System LSI业务总监Axel Foscher。而法国Soitec SA则提供了量产FDSOI所用的SOI晶圆。
全耗尽型绝缘体上覆硅(FDSOI)
Low表示，三星已经在2015年间展开几项多专案晶圆(MPW)服务了，预计在2016年还将推出更多计划，此外，三星还打造IP核心的实体设计套件(PDK)与平台，现在也已经可用了。
除了ST与飞思卡尔(Freescale)以外，Low并未透露哪些FDSOI客户，但表示将有更多经营“所有细分市场的客户，尤其是物联网(IoT)等成 本与超低功耗组合至关重要的领域。”Low并预计，FDSOI芯片将出现在2016年的消费性电子产品中，而如果想渗透至通讯基础设施、连网与汽车电子等领域的话，预计还有更长的路要走，因为这些领域存在更严苛的性能要求。
他并表示，“每个人都在等待Chipworks或TechInsights拆解采用FDSOI的终端产品。但这只是时间的问题罢了。”
同时，格罗方德(Globalfoundries)正研发基于22nm最小几何设计规则的工艺，可实现低至0.4V的低功耗，较三星的工艺领先约一年的时间。
编译：Susan Hong
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