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安森美18款MOSFET产品,适用于计算机CPU/GPU供电

2006-08-17 阅读:
安森美半导体(ON Semiconductor)推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。

安森美半导体(ON Semiconductor)推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。

这些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。

供货与定价

其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)

NTD4804N 30 V 117 A 4 m欧姆 30 nC

NTD4805N 30 V 88 A 5 m欧姆 20.5 nC

NTD4806N 30 V 76 A 6 m欧姆 15 nC

NTD4808N 30 V 63 A 8 m欧姆 11.3 nC

NTD4809N 30 V 58 A 9 m欧姆 10.7 nC

NTD4810N 30 V 54 A 10 m欧姆 9 nC

NTD4813N 30 V 40 A 13 m欧姆 6.9 nC

NTD4815N 30 V 35 A 15 m欧姆 6 nC

其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装- 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。

器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)

NTMFS4833N 30 V 191 A 2 m欧姆 39 nC

NTMFS4834N 30 V 130 A 3 m欧姆 33 nC

NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 m欧姆 25 nC

NTMFS4836N 30 V 90 A 4 m欧姆 19.1 nC

NTMFS4837N 30 V 74 A 5 m欧姆 14.2 nC

NTMFS4839N 30 V 66 A 6 m欧姆 12 nC

NTMFS4841N 30 V 57 A 7 m欧姆 11.9 nC

NTMFS4741N 30 V 67 A 8 m欧姆 15 nC

NTMFS4744N 30 V 53 A 10 m欧姆 10 nC

NTMFS4747N 30 V 44 A 13 m欧姆 12 nC

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