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高通发布Snapdragon 820及快充技术Quick Charge 3.0

2015-09-15 阅读:
美国高通(Qualcomm)公司今(15)日于香港宣布,最新升级的X12 LTE modem整合于即将推出的高通Snapdragon 820处理器,同时发布的还有Quick Charge 3.0快充技术……

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美国高通(Qualcomm)公司今(15)日于香港宣布,最新升级的X12 LTE modem整合于即将推出的高通Snapdragon 820处理器,为顶级移动设备提供领先的4G LTE与Wi-Fi技术。最新Snapdragon 820处理器可满足前所未见的高速网路及无缝服务需求。高通预料该芯片将于明年第1季量产出货。

高通技术公司产品管理资深副总裁Alex Katouzian表示,“整合X12 LTE modem的高通Snapdragon 820处理器为最新领导型产品,提供OEM厂商与营运商位居顶尖的高度差异化功能,其中包括最新的LTE与Wi-Fi连网技术。随4K影音、虚拟实境、认知运算技术快速演进,为消费者提供速度和频宽,从而创造更强大移动体验非常重要”。

新功能包括:

● LTE Advanced速度

下行Cat 12(最高传输速率达600 Mbps)

上行Cat 13(最高传输速率达150 Mbps)

单一下行LTE载波最高可支持4x4 MIMO

● 未授权频谱上的突破性的连网支持:

2x2 MU-MIMO (802.11ac)

多千兆比特802.11ad

LTE-U与LTE+Wi-Fi链路聚合 (LWA)

● 横跨各种连接网络的完整服务

利用LTE及Wi-Fi网络的下一代HD视频和语音通话

横跨Wi-Fi、LTE、3G与2G,通话不中断

射频(RF)前端创新

先进的闭迴路天线调谐器

支持载波聚合的高通RF360前端解决方案

Wi-Fi/LTE天线共用

高通发布Snapdragon 820及快充技术Quick Charge 3.0《电子工程专辑》

Snapdragon 820是所有已公开发布的移动设备处理器中,第一个能于下行链路中支持LTE Category 12、并于上行链路中支持Category 13的处理器,其下载和上传速度分别较前代产品提升33%与200%。X12 LTE数据机亦有分离式芯片组版本,峰值下载速度可透过下行链路三载波聚合及256-QAM达600 Mbps,上传速度可透过上行链路双载波聚合及64-QAM达150 Mbps。

Snapdragon 820同时是首个公开宣布为4x4 MIMO提供LTE支持的处理器,旨在单一LTE载波上实现下载输送量翻倍。此外,Snapdragon 820具备上行链路数据压缩(Uplink Data Compression, UDC)功能,能够实现加快网页载入速度等,于各类应用中提升使用者经验。此上行链路资料压缩(Uplink Data Compression, UDC)功能目前只限特定Snapdragon LTE modem支持。

最后,Snapdragon 820也是首个公开发布具先进闭合回路天线调谐的处理器,搭配QFE2550天线调谐器后,能依据实际网络条件,动态调整射频表现,尤其适合顶级手机的金属工业设计。先进闭合回路天线调谐可减少电话信号中断、提升基站边缘输送量,甚至减少耗能。采用Snapdragon 820处理器的设备预计于2016上半年问世。

本文下一页:Quick Charge 3.0在35分钟之内,将手机电量从0充电到80%

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除了最新的处理器,高通还于稍早的2015 Qualcomm 3G/LTE高峰会中,宣布了新一代快充技术─Quick Charge 3.0,以及支持的处理器芯片。搭载高通最新快充技术的处理器芯片的终端设备,预料将会在明年初上市。

快充技术被广泛用于移动设备和配件中,这一技术有效地缓解了电池续航性能不给力的问题。目前,支持高通Quick Charge 2.0的移动设备多达40款,该技术可在半小时内为设备充上60%的电量。高通一直在思考一个问题,充电能不能再快一点?

高通发布Snapdragon 820及快充技术Quick Charge 3.0《电子工程专辑》

据高通的说法,Quick Charge 3.0,首度採用最佳电压智能协商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)演算法,不仅能在任意时刻实现最佳传输功率,且将效率最大化。使用Quick Charge 3.0的设备,大约能在35分钟之内,将手机电量从0充电到80%,而不具备这项技术的设备,大约需要一个半小时,对于有时会忘记充电,或是非常忙碌、需要快速充电功能的使用者来说,将会是一大福音。

高通发布Snapdragon 820及快充技术Quick Charge 3.0《电子工程专辑》

Quick Charge 2.0提供了5V、9V、12V、20V四种充电电压,而Quick Charge 3.0则是以200mV为单位,提供从3.6V到20V电压的选项,使用上更为灵活。能让充电的手机获得恰到好处的电压,并达到预期充电电流,提高充电效率,并改善散热上的表现。

Quick Charge 3.0相较于先前版本来看,有以下优点:

· 充电速度是Quick Charge 1.0版的2倍;

· 相较于Quick Charge 2.0,充电速度最快提高27%、或最高可减少功耗达45%。

高通发布Snapdragon 820及快充技术Quick Charge 3.0《电子工程专辑》

Quick Charge可相容之前的版本以及充电器。

根据高通的说明,首批支持Quick Charge 3.0技术的芯片包含Snapdragon 820、620、618、617以及430。採用这些芯片的手机,最快预计将在明年初推出。

小米5会成为第一批用上Quick Charge 3.0的手机吗?

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