传联发科Helio X30采用16nm工艺，明年初问世

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10核心的Helio已经非常强大了，但联发科似乎正在准备更加强大的Helio X30。

相关消息指出，联发科在旗舰款处理器Helio X20之后，将计划持续推出改良款Helio X22，并且将于后续推出新款Helio X30，预期以台积电16nm制程FinFET技术制作。但若从联发科稍早透露说法，今年推出的旗舰款处理器将以Helio X20为主，预期新款处理器将维持在2016年间问世。

微博网友@Kuro_Ne_Ko爆料称，Helio X22预期维持台积电20nm工艺技术，而X30则将以16nm工艺FinFET技术制作。不过，从联发科先前受访时表示今年旗舰款处理器将维持以 Helio X20为主，加上台积电16nm制程技术预计在今年第三季才投入量产，此次传出两款新处理器应该会选择在明年初公布。

在相关 消息透露细节里，显示Helio X30将采用特殊四段档位设计，相比三段档位设计的Helio X20预期提供更细腻的处理器效能控制，藉此发挥精准的电池损耗表现，至于处理器设计则分别以ARM Cortex-A72 2.5GHz四核心架构，搭配ARM Cortex-A72 2.0GHz双核心架构，另外再加上ARM Cortex-A53 1.5GHz双核心架构与ARM Cortex-A53 1.0GHz双核心架构，形成“4＋2＋2＋2”的10核心架构设计。

不过，相关消息并未透露Helio X30预期搭配GPU规格，但预期仍将以ARM旗下Mali高阶GPU为主，还无法确认是否沿用Mali-T800系列GPU，如果按照联发科的一贯做法，可能搭载性能不是很强大的Mali-880，但也有可能采用ARM接下来预期揭晓的全新GPU。

至于其余部分则分别对应4GB LPDDR4 1600MHz双通道记忆体规格，同时支持POP封装，以及eMMC 5.1储存元件规范，另外最高可驱动相机元件高达4000万像素。

而改良款Helio X22似乎主要将运作时脉提升，制程依然维持在20nm设计。

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