三级单元(triple-level cell；TLC)闪存在进入客户端市场两年后，预计将进一步在数据中心获得动能。但长期来看，由于3D NAND逐渐取代，传统的NAND内存成长开始趋缓。
截至目前为止，TLC主要用于USB驱动器、闪存、低成本智能手机与客户端固态硬盘(SSD)；不过，市调公司Forward Insights首席分析师Gregory Wong指出，市场上目前已经看到iPhone 6开始采用了，预计它将在2015-2016年进一步渗透到高端智能手机与企业数据中心SSD应用中。
另一家市调公司Gartner也发表类似的预测看法。Gartner半导体研究副总裁Joe Unsworth表示今年已经有一些特定客户选择在数据中心采用TLC了。该研究公司预计，在未来的一年， TLC和3D将成为NAND技术进展关注重点，特别是三星电子(Samsung)已在2014年为3D NAND实现商用化，但预计业界采用的脚步仍缓慢，大约要到2016年以后所有厂商都实现商业化后才可能普及应用。在那之前，该产业仍将会是一个多级单元(MLC)和TLC并存的世界，他说。
NAND技术革命：TLC和3D NAND将成为关注重点（来源：Gartner，2014/12）
Gregory Wong预计，在2016年以前， MLC将继续应用在智能手机、平板和SSD ，以及可能用于一些越来越普及的Android智能手机中；而单级单元(SLC)则持续用于机顶盒(STB)、数字相机、打印机与移动终端等消费应用中。然而，Gregory Wong指出，由于越来越多的移动终端与相机改采用MLC，SLC采用量正逐渐减少，主要的成长力道来自工业与汽车应用。
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推动TLC成长以及在数据中心应用找到立足点的原因之一在于更智能化的控制器，它克服了对于耐用性的顾虑。整体而言，Gartner认为，闪存管理固件与先进控制器将成为NAND市场的差异化因素。
Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示， TLC以往多半用于低端写入应用，如闪存、 USB快闪驱动器与MP3播放器等，一直到2013年才成功地应用于三星与SanDisk提供的客户端SSD中。“使MLC得以取代SLC的相同基础架构技巧，也适用于让TLC取代MLC，”Jim Handy表示。然而，MLC的成本约为SLC的50%，改用MLC能够带来更大的成本优势；相形之下， TLC的定价约为MLC的80%，因而无法为TLC取代MLC带来什么推动力量。
Jim Handy预期， SLC并不至于完全消失，但逐渐地，当市场上只有几家供货商(如Spansion与旺宏Macronix)就足以满足市场需求时，SLC的出货量将会逐渐萎缩，成本也会日趋增加。
Jim Handy认同Gartner的看法——控制器成为一项重要的差异化关键。控制器变得更智能、更复杂，尽管得花更多的成本，但却降低了TLC进入新领域的成本。不过，控制器也有其局限性，他说，当达到极限时，就必须增加闪存与内建冗余。
Jim Handy强调， TLC将不会完全取代MLC 。 “MLC的应用基本上已经是无处不在了，这样的情况还将延续到接下来的两年，或甚至更长的时间。”然而， 3D NAND更适于采用TLC ，因而可能比平面NAND使用更多的TLC 。
不过，他同样认为，3D NAND至少要到2016年以后才能加速成长；最终，TLC和3D NAND将竞相成为NAND闪存的最低成本选择。
翻译：Susan Hong
本文授权翻译自EE TIMES，谢绝转载
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